nonideal transistor theory 요약

목차

1. 나오게 된 배경
2. High Field Effects
3. Channel Length Modulation
4. Threshold Voltage Effects
5. Leakage
6. Temperature Sensitivity
7. Process and Environmental Variations

본문내용

① Vertical, lateral E field
Vertical E field(Vgs 에 의한)는 채널을 만들고,Lateral E field(Vds 에 의한)는 캐리어를 가속시킨다.
② Mobility Degradation
캐리어의 속도는 소스와 드레인 사이 lateral electric field(E=Vds/L) 에 비례한다. (v=uE) 장채널 모델에서 carrier mobility가 전기장에 무관하다고 가정하지만,이는 강한 측면 전기장이나 수직 전기장이 인가되면 성립하지 않는다. (전기장이 약할 때에는 성립한다.)게이트의 높은 전압은 전자를 oxide 쪽으로 끌어당겨 충돌하게 만든다.
③ Velocity Saturation
캐리어들은 실리콘 격자로부터 튀어나온다.높은 drain 전압 하에 높은 lateral e field가 걸리게 되고,캐리어들은 빠르게 가속된다.사람들이 많을 때 빠르게 뛰려고 할수록 더욱 자주 충돌하는 것처럼(닫힌 계에서 분자를 가속하면 더 많이 충돌하는 것처럼)캐리어들도 높은 전기장이 인가 될시,더욱 빠른 속도가 되고,더욱 많이 충돌한다.

참고 자료

없음