MOSFET 실험 결과 보고서, 기회실2 보고서, 전자회로실험, 기초회로실험2 결과보고서

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2018.03.15
최종 저작일
2017.04
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목차

1. 서론
1) 증가형 MOSFET(E-MOSFET)
2) 증가형 MOSFET의 전달특성

2. 본론

3. 결론

본문내용

1. 서론
MOSFET은 게이트가 산화 실리콘(SiO2)층에 의해 채널과 격리된 점이 JFET과 다르다. 공핍형과 증가형의 두 종류가 있으나 이번 실험에서는 증가형에 대해서만 실험하였다.

1) 증가형 MOSFET(E-MOSFET)
증가형 MOSFET은 단지 증가 모드로만 동작하고 공핍모드로는 동작하지 않는다. 증가형 MOSFET은 공핍형 MOSFET과는 달리 인위적으로 물리적인 채널을 만들지 않는다는 것이 서로 다르다. 아래 그림에서 n채널 E-NOSFET의 기본구조를 나타내었다. 여기에서 기판이 SiO2층까지 완전히 확장되어 채널이 만들어져 있지 않음에 주목하라.

참고 자료

없음
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