mosfot을 이용한 2단증폭기2
- 최초 등록일
- 2017.11.17
- 최종 저작일
- 2017.11
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목차
1. 회로도
2. 관련이론
3 DC/AC 해석, 주파수해석
4. 시뮬레이션, 결과
5. 실험결과
6. 패턴도
7. 고찰
본문내용
형성되는 채널의 종류에 따라 전자가 채널을 형성하면 nMOSFET (Negative), 정공이 채널을 형성하면 pMOSFET (Pasitive)으로 불린다.
MOSFET을 만들 때 source와 drain쪽을 대칭적으로 만들기 때문에 source/drain구분은 회로에 연결 된 후 구분된다.
-소자구조
위 그림은 N-channel 증가형 MOSFET의 물리적인 구조로 P-type 기판 위에 제조된다.
그림에서 n+(source)와 n+(drain)영역으로 표시된 곳은 고농도로 도핑된 부분으로 Metal과 contact후 단자로 사용된다.
그리고 기판의 표면위에 전기적인 절연 특성이 양호하고 두께가 2~50nm인 silicon dioxide 층이 형성되어 있으며 이 층이 source와 drain영역 사이를 덮고 있다.
이 silicon dioxide층 위에 Gate전극이 형성되어 있으며 Gate-Metal- Silicon Dioxide-P-type Substrate의 구조인 커패시터가 형성되며 Gate전극에 전압을 인가함에 따라서 Chnnel을 형성하기도 없애기도 한다.
참고 자료
없음
