[mahobife]응집물질물리실험 홀효과 실험 결과보고서입니다.

최초 등록일
2017.10.10
최종 저작일
2011.06
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목차

Ⅰ. 목적

Ⅱ. 장비

Ⅲ. 실험 방법
1. 장비 설치
2. Hall voltage 보정
3. 자기장 측정
4. voltage drop 측정
5. Current VS. Hall voltage 측정
6. Magnetic field VS. Hall voltage 측정

Ⅳ. 이론
1. Hall 계수
2. Mobility의 측정
3. 전류밀도 측정

Ⅴ. 결과 및 토의
1. Hall 전압과 전류, 자기장 사이의 관계
2. 홀계수와 전류, 자기장의 관계
3. 운반전하 밀도와 전류, 자기장과의 관계
4. mobility와 전류, 자기장과의 관계
5. 외부 current에 대한 전류밀도

Ⅵ. 참고문헌

본문내용

1. 장비 설치
① 그림 1과 같이 장비를 설치한다.
② Ge 샘플에 직접 닫지 않도록 주의한다.

2. Hall voltage 보정
sample에 자기장이 작용하지 않을 때 (B = 0 T)에는, sample에 current I가 흘러도 Hall valtage VH=0이 되어야 한다. 그러나 sample 및 Base-unit 내부 회로 특성 때문에 VH 출력값이 정확히 0이 되지 않을 수 있다. 따라서, 실험을 하기 전에 VH 출력값이 0이 되도록 보정해야 한다.

① 그림 3과 같이 연결하고 CASSY Lab 프로그램을 이용하여 Input A, Input B의 측정값을 실시간으로 확인한다.
② 그림 3의 가운데 Base-unit의 위에 current adjuster를 최대치로 조정한다.(30~33 mA)
③ 그리고 Input B의 Hall voltage 측정 출력값을 0이 되도록 Base-unit의 compensator adjuster를 사용하여 보정한다. 그리고는 실험 중에는 compensator adjuster를 조작하지 않는다.

3. 자기장 측정
① 그림 4와 같이 조심해서 세팅한다. 자기장 센서의 tangential probe는 측정 지점의 중앙에 위치시킨다.

참고 자료

Donald A. Neamen (2006). An INTRODUCTION TO SEMICONDUCTOR DEVICES. McGRAW-HILL INTERNATIONAL EDITION
실험 매뉴얼

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