기초전기전자실험 보고서 - Semiconductor, OP-amp

*태*
개인인증판매자스토어
최초 등록일
2017.09.04
최종 저작일
2016.11
13페이지/한글파일 한컴오피스
가격 1,500원 할인쿠폰받기
다운로드
장바구니
  • 노하우톡
  • 릴레이이벤트
  • 신한 체크카드 이벤트

소개글

경북대 기계공학부 기초전기전자실험 A+받은 레포트입니다.

목차

Ⅰ. 다이오드 특성 실험
1. 실험목적
2. 실험이론
3. 실험과정
4. 실험결과
5. 고찰

Ⅱ. 제너 다이오드 특성 실험
1. 실험목적
2. 실험이론
3. 실험과정
4. 실험결과
5. 고찰

Ⅲ. 보충과제
1. 트랜지스터(transistor)
2. 연산증폭기(OP-AMP)

본문내용

Ⅰ. 다이오드 특성 실험
1. 실험목적
게르마늄(Germanium)과 실리콘(Silicon) 다이오드의 특성에 대하여 알아본다.

2. 실험이론
(1) 다이오드의 원리 및 이론적 배경
다이오드(diode)는 게르마늄(Ge)이나 규소(Si)로 만들어지고, 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자를 말한다. 정류, 발광 등의 특성을 지니는 반도체 소자이다. 최초의 다이오드는 진공관(vacuum tube)으로 만들어졌다. 진공관 다이오드는 플레이트 전극(anode)와 열음극(hot cathode)으로 두개의 전극으로 이루어진다.
오늘날의 대부분의 다이오드는 실리콘(Si)으로 만들어 지지만, 셀레늄(selenium)이나 게르마늄(germanium) 등의 반도체 등을 사용하기도 한다. 대부분의 반도체 다이오드는 p-n 접합으로 두개의 전극을 갖는 반도체 결정체이다.
다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체(anode) 면에서 N형 반도체(cathode) 면으로만 흐를 수 있다.

공핍 영역(depletion region)은 p–n 접합 후, 바로 즉각적으로 형성된다. 접합 후 열평형이 이루어지면서 안정 상태로 되고, 이것을 동적 평형이라고 부른다.
다이오드의 전류-전압 특성 곡선은 PN 접합의 소위 공핍층(depletion layer)의 행동에 의한 것으로 해석된다. PN 접합이 처음 생성되면, N영역의 자유영역 전자들이 정공이 많은 P영역으로 확산된다. 자유 전자들이 정공과 결합한 후에는 정공은 사라지며 전자들은 더 이상 자유롭지 못하게 된다. 따라서 두 속성의 전하 캐리어들(정공과 전자)이 모두 사라지고, PN 접합 주변 지역은 마치 부도체인 것처럼 동작한다. 이를 재결합이라고 한다. 하지만 공핍층의 크기에는 한계가 있고 얼마 후에는 재결합이 끝나게 된다.

다이오드의 전류-전압 특성은 두 동작영역으로 나눠 설명할 수 있다.
순방향 바이어스 : 외부 전압을 다이오드 공핍층에 생긴 built-in potential과 반대 극 방향으로 걸어주면, 재결합을 다시 시작한다.

참고 자료

없음

자료후기(2)

*태*
판매자 유형Bronze개인인증

주의사항

저작권 자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다.
자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다.
저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.
환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류 중복자료 저작권 없음 설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우 다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함) 인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우 자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

  • 한글파일 Semiconductor 6페이지
    Semiconductor/OP-amp 실험 1.목적 -일반 다이오드 ... 때나, 발광 다이오드를 제어하는 경우 등이다. 트랜지스터는 반도체의 조합에 ... 와 제너 다이오드의 차이점을 이해한다. -제너 다이오드의 원리를 이해한다
  • 한글파일 기초전기전자실험 보고서(제너 다이오드 특성 실험) 3페이지
    기초전기전자 실험 / 제너 다이오드 특성 실험 11-2 제너 다이오드 ... 특성 실험 □ 기본 원리 ○ 제너 다이오드의 개념 일반적으로 다이오드 ... 전류에 의한 열로 다이오드가 파괴되기 때문이다. 그러나 항복영역에 사용해도
  • 한글파일 실험8예비 4페이지
    , 2001 3) 유상대 외, 전자공학실험, 경북대학교출판부, 2007 ... , 2008 2) 길경석, 권장우, 송재용 공저, 기초전기전자실험, 오성미디어 ... ;이상호;최영선 공저, OP-AMP.실습 : 기초와 응용, 청문각
  • 한글파일 기물2 3예비 5페이지
    2010년 2학기 경북대학교 IT대학 전자공학부 기초전자물리학실험2 ... 실험(예비)보고서 실험 제 3장 옴의 법칙, 키르히호프 전압·전류 법칙 ... 00분 ~ 실험장소 IT-2호관 202호 1. 실험 목표 - 전기회로의
  • 한글파일 semiconductor (세미컨덕터),Op-Amp 실험보고서 11페이지
    Semi Conductor / Op-Amp 실험 - 다이오드란? 사전적 ... 반도체 소자라고 하며 대표적인 것이 바로 다이오드라는 것이다. 많은 ... 실험 다룰 부분이기도 하다. 다이오드의 이러한 성질들은 교류를 직류로
  • 한글파일 기물 1장.실험 장비 및 도구 사용법1. 결과보고서 8페이지
    : 2009년 9월 4일 금요일 09:00 ~ 12:00 실험 장소 : 경북대학교 ... 제1장. 실험 장비 및 도구 사용법1 과목명 : 기초 ... ) (1) 실험의 목표 1) 전자전기공학 실험 사용하는 기본 실험
최근 본 자료더보기
  • 프레시홍 - 생물오징어
기초전기전자실험 보고서 - Semiconductor, OP-amp