2장 다이오드특성 예비레포트

목차

1. 실험에 관련된 이론
2. 실험회로 및 시뮬레이션 결과
3. 실험방법 및 유의사항
4. 참고문헌

본문내용

실험에 관련된 이론
- 다이오드: pn접합 다이오드는 acceptor가 도핑된 p형 반도체와 donor가 도핑된 n형 반도체의 접합 형태로 이루어진다. P형 영역에서는 정공의 농도가 자유전자보다 매우 크며 반대로 n형 영역에서는 전자의 농도가 정공보다 매우 크다. 다이오드의 p형 영역에 연결된 전극을 anode라고 하며, n형 영역에 연결된 전극을 cathode라고 하고 아래 기호와 같이 나타낸다. 다이오드의 전류는 anode에서 cathode 방향으로 흐르며 삼각형 방향으로 전류가 흐른다고 생각하면 된다.

<중 략>

-DC Forward Bias:
P-type에 (+) 전압이 인가되고 N-type에 (-) 전압이 인가된 상태를 Forward bias (순방향 전압) 이 인가되었다고 한다. P-type 쪽의 +전압은 다수 캐리어인 Hole들을 – 전압 쪽으로 밀어내고 N-type 쪽의 –전압은 다수 캐리어인 electron들을 p-type쪽으로 밀어내고 hole들을 끌어당긴다.

참고 자료

B. Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007, pp.380-410
http://en.wikipedia.org/wiki/Op_amp