전자회로실험 결과보고서3. MOSFET Logic

목차

1. 실험회로
2. 실험값
3. 결과분석
4. 실험을 통해 느낀 점 또는 통해 얻은 점

본문내용

3. 결과분석
먼저 이번 실험에서는 MOSFET NAND회로와 NOR실험 두가지를 하였다.
첫 번째 실험 NAND회로와 두 번째 실험 NOR 실험은 예비보고서에서 작성한것과 같이 비슷한 결과값이 나오것을 확인할 수 있다. MOSFET NAND회로를 구성하여 NAND gate의 이론값과 같은 결과가 나타나는 것을 확인해보았다. Low일 때 2.2V, High일 때 4.096V라는 일정한 값이 나타났다. MOSFET NOR회로를 구성하여 NAND gate의 이론값과 같은 결과가 나타나는 것을 확인해보았다. Low일 때 0.001uV, High일 때 3.386V라는 일정한 값이 나타났다.
그림 1과 2는 MOSFET NAND 게이트와 NOR게이트이다. 이 게이트들이 저항이나 다이오드의 사용 없이 구현된 것을 기억하라. 각각의 회로에서 M1 트랜지스터의 Gate와 Drain을 연결하여 Load 저항을 대체하였다. 이 설정으로 M1 트랜지스터는 회로에서 ActiveLoad로 동작한다.

참고 자료

없음