09. MOSFET 증폭기 회로 예비보고서

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항

본문내용

게이트에 문턱 전압 이상의 (+) 전압을 인가해주면 자유 전자들이 기판 위로 모여 채널을 형성하고 이 때 드레인과 소스 사이에 전압을 걸면 채널 내의 자유 전자들이 소스에서 드레인 방향으로 이동하여 전류가 ‘드레인 => 소스’로 흐릅니다. 게이트에 인가되는 전압을 변화시키면 채널의 폭이 변화하고 이에 따라 흐르는 전류의 양로 변합니다.
드레인과 소스 사이의 전압이 작을 때는 드레인-소스 전압이 증가함에 따라 드레인 전류가 증가하지만 드레인과 소스 사이의 전압이 커지면 게이트와 드레인 사이의 채널이 막히게 되어 드레인-소시 전압이 증가하더라도 드레인 전류는 증가하지 않고 일정하게 됩니다. 이러한 현상을 핀치 오프(pinch-off)라고 합니다.
게이트-소스 전압이 문턱 전압보다 작으면 채널이 형성되지 않아 MOSFET은 항상 차단 상태가 되고 게이트-소스 전압이 문턱 전압보다 크면 채널이 형성되는데 이 때 게이트-드레인 전압이 문턱 전압보다 크면 트라이오드(triode)영역에서 동작하고 게이트-드레인 전압이 문턱 전압보다 작으면 포화(saturation)영역에서 동작합니다.

참고 자료

없음