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전자회로실험(MOSFET 기본특성2 예비보고서)

*태*
최초 등록일
2016.11.02
최종 저작일
2016.03
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소개글

전자회로실험 MOSFET 기본특성2 예비보고서입니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험결과
3. 비고 및 고찰

본문내용

1. 실험목적
본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다.
이 실험을 마친 후에는 다음을 이해할 수 있다.
∎ MOSFET의 채널은 소오스-드레인 채널의 작은 전압 VDS에 대해 작은 전류 iD가 흐르는 저항으로 이해된다.
∎ 게이트 전압을 증가시켜 문턱전압 이상이 되면 채널의 "on"저항 Ron이 감소한다.
∎ CD4007에 내장된 n-, p- 채널 MOSFET의 문턱전압과 전하 이동도를 결정할 수 있다. ∎실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.

2. 실험결과
2) NMOSFET
- (=) 전압을 증가시켜 +5.0V가 되도록 한다. 즉시 DMM의 저항값을 읽는다. 유의할 것은 시간이 지남에 따라 저항 값이 변화함으로 측정자가 일정한 시간 간격(예를 들어 전압 공급 후 1초 또는 2초에 측정)을 정하여 저항 값을 읽는다. +5V의 경우 CD4007은 대량 200Ω ~ 1KΩ의 값을 나타낼 것이다. 이 값()을 기록한다.

참고 자료

없음
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판매자 유형Bronze개인

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