JFET 특성 예비보고서

옹이야

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실험에 관련된 이론
(1) JFET (Junction Field Effect Transistor)
FET는 전개효과(Field Effect)의 트랜지스터 이며 트랜지스터의 기능은 같지만 전계(전압,voltage)로서 전류를 제어한다는 점이 BJT하고 다르다. BJT에서는 전류로서 전류를 제어한다. FET 는 BJT 보다 제조가 간편 하여 IC 제조에 많이 쓰인다. 이는 제조에 필요한 공정 단계 및 사용 장비를 줄일 수 있으므로 단가가 싸지기 때문이다. 소자의 구분으로 BJT 에서는 NPN, PNP 형태가 있는 반면 FET 에서는 N 채널, P 채널이 있다. 전류의 전도 현상에 정공이 참여하는 것을 P 채널 이라 하며 자유전자가 참여 하는 것을 N 채널 이라 한다.

FET 는 맨 처음 1926년에 최초 만들어 졌다. Julius Edger Lilienfeld 가 3개의 특허를 출원 하였으며, 최초의 FET는 Cu2S반도체에 금(Au)의 Source, Drain, Gate 단자로 구성되었다. 그러나 이 FET 개념은 시제품으로 구현되지 못하고 실험실 레벨에서 제작되었다.

참고 자료

http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?id=189&m_temp1=4618&nav=1

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