[A+] Nano MEMS 공학개론 실리콘 웨이퍼 과제

목차

1. Dopant 종류에 따른 구분
2. 결정성장 방향에 따른 구분
3. 웨이퍼의 구분 방법

본문내용

실리콘웨이퍼(Siliconwafer) : 순도 99.9999999%의 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 다듬은 것이다. 웨이퍼의 표면은 결함이나 오염이 없어야 함은 물론, 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 고도의 평탄도가 요구된다. 최근에는 두께 0.3㎜, 지름 15~30㎝의 원판 모양의 것이 사용되고 있다. 이 실리콘웨이퍼는 조립한 후에 검사가 끝나면 개별 칩으로 잘려져서 완성된 집적회로로 사용된다.실리콘 웨이퍼는실리콘 기둥인 잉곳(Ingot)을 절단하여 둥글게 제작되는데눈으로 식별이 불가능한 결정 구조를 판별하기 위해 한 면, 또는 두 면을 평평하게 만들어 사용하게 된다. 이 웨이퍼는 아래 그림처럼,4 가지 모양으로 가공되는데 각각의 Wafer는 [N-type], [P-type] 과 결정성장 방향에 따른 [1 0 0] 및 [1 1 1] 웨이퍼로 구분된다.

<중 략>

Dopant란? : 반도체를 p형 또는 n형으로 하기 위해, 혹은 이미 존재하는 불순물의

참고 자료

없음