다이오드의 기초 결과

목차

1. 실험 결과
1) IN4001

2. IN4002
1) 분석

3. 34
1) 분석

4. 결론

본문내용

순방향으로 바이어스 전압을 걸게 되면, p형반도체(에노드)에 +전압이 걸리게 되고,n형반도체(케소드)에는 -전압이 걸리게 됨.이론적으로 인가전압이 증가될수록 p형반도체의 다수캐리어인 정공과 n형반도체의 다수캐리어인 전자가 접합부의 공핍층으로 밀리기 때문에 공핍층의 폭이 좁아져, p->n방향으로의 다수캐리어에 의한 전류는 공핍층의 폭이 좁아질수록 커지기 때문에 순방향 바이어스 전압이 커질수록 지수함수적으로 증가하게됨.위 표와 그래프를 보면 0~0.3V미만까지는 전류가 흐르지 않고,0.3V의 전압부터 전류가 지수함수적으로 증가하는 것을 확인할 수 있음. 지수 함수적으로 전류가 증가하게되는데,그래프를보면 0.7V의 전압에서 전류증가 기울기가 급증하는 것을 볼 수 있음. 이 현상은 문턱전압(0.7V)에서 도통(단락)이 되었음을 뜻하는데, 이는 이 다이오드가 Si 다이오드라는 것을 간접적으로 보여줌.(Si다이오드는 통상 문턱전압이 0.6~0.7V)이론상으로는 문턱전압에서 전류의 기울기가 수직 직선(전류가)을 그려야 하지만 실제 위 회로에서 저항이 직렬 연결 되어 있어 흐르는 전류를 제한하기 때문에 비교적 낮은 기울기의 곡선 그래프가 나오게 됨.순방향 저항과 걸어준 전압을 고려하여 이론적인 전류를 계산하면 다음과 같음.

<중 략>

위 표와 그래프를 보면 역방향전류는 모든 0~0.8V까지 전압 모두 0으로 측정됨.역방향으로 바이어스 전압을 걸게 되면,p형반도체에 -전압,n형반도체에 +전압이 걸리게됨. 이론상으로 역방향 바이어스 전압을 인가하면 p형 재료 중의 다수캐리어인 정공이 -전극 측으로 많이 이끌림에 따라, n형 공핍층인 +이온층과 p형 공핍층인 -이온층이 넓어져서 결과적으로 p-n접합부의 공핍층이 바이어스 전압이 인가되지 않을때보다 더욱 넓어지게 됨.이 때의 공핍영역은 n형내의 다수캐리어인 전자나 p형내의 다수캐리어인 정공이 넘기엔ㄴ 너무 큰 장벽을 형성하기 때문에 다수캐리어의 흐름은 거의 0으로 감소함.

참고 자료

없음