MOSFET Circuit 결과보고서

목차

1. Introduction
2. Materials & Methods
3. Results of this lab
4. Conclusion

본문내용

1. Introduction
1) Purpose of the Experiment
N-Channel MOSFET 및 P-Channel 작동원리를 알아보고 N-Channel MOSFET 회로를 설계하여 보고 트랜지스터의 동작원리를 파악해 본다. 또한 회로가 Saturation 되었을 때의 전압-전류 특성을 알아본다.
2) Essential Backgrounds for this Lab
MOSFET이란 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOS field-effect transistor)는 가장 일반적인 전계 효과 트랜지스터(FET)이다. 줄여서 MOSFET이라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 크게 N-MOSFET이나 P-MOSFET 두 가지를 모두 가진 소자를 C-MOSFET(complementary MOSFET)으로 분류한다. 금속 산화막이란 이름이 붙은 것은 초기에 게이트로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 폴리실리콘 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 게이트 터미널은 채널에 위치한 폴리실리콘 (다결정 실리콘)의 레이어이지만 전통적인 이산화 실리콘의 저항층 박막에 의하여 채널로부터 분리되었고 더 진보된 기술은 산소질화 실리콘을 사용하였다.

참고 자료

없음