[아주대]논회실 결과 실험9. 램 (RAM)

목차

1. 실험방법 및 예상결과
2. 실험고찰

본문내용

- 실험방법 : OE0,1은 A,B 파트 중 데이터를 읽을 파트를 선택하는 Read select이고, IN0,1은 A,B 파트 중 데이터를 입력할 파트를 선택하는 Write select, WR0,1은 입력할 데이터를 선택하는 선이다.
- 데이터 분석 : 74HC00(NAND gate)과 74HC03 (Quad 2-Input NAND Gate with Open-Drain Outputs)을 이용하여 2-bit RAM회로를 구성한다. 이때 A,B 파트를 구성하는 회로는 Enable을 갖는 SR Latch회로이다. Write select를 조작하여 데이터를 저장하고 읽는다. 이 때, 래치 회로의 Enable을 조작하여 A와 B 부분 중 하나씩 읽고 쓸 수 있다. 입력한 데이터는 플립플롭에 저장된다. 플립플롭의 출력과 7403 칩이 연결되어 있는데, 이때 Read select를 1로 인가하면 플립플롭에 저장되어 있던 데이터가 다이오드를 통해 출력된다. 이때, 7403칩이 Z(high-impedance)가 출력되므로, 풀업저항을 연결하여 안정된 값이 나오게 한다. Read, Write select를 조작하여 데이터를 저장하고 읽는다. 예상결과와 실험결과가 일치하였다.

참고 자료

없음