Nonohub MOS capacitor 2

*신*

최초 등록일: 2014.08.18
최종 저작일: 2011.03; 10페이지/ MS 파워포인트; 가격 1,000원

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1. 위 MOSCAP에 대하여 simulation을 진행합니다.Threshold voltage VTN을 구하시오. Energy band diagram(VG=VTN)을 그리시오
2. 1의 MOSCAP의 NA를 1.0*1016cm-3로 변경하여 simulation을 진행합니다. Threshold voltage VTN을 구하시오. Energy band diagram(VG=VTN)을 그리시오
3. 1의 MOSCAP의 gate electrode를 tungsten으로 변경하여 simulation을 진행하시오. Threshold voltage VTN을 구하시오. Energy band diagram(VG=VTN)을 그리시오. 1의 VTN과 동일한 VTN을 갖기 위해서는 doping농도를 어떻게 바꾸어야 하는지 논하시오

본문내용

1. 위 MOSCAP에 대하여 simulation을 진행합니다.Threshold voltage VTN을 구하시오. Energy band diagram(VG=VTN)을 그리시오.

C-V curve에서 Vtn는 low frequency graph가 감소하다가 증가하는 시점으로 정의된다. 확대된 C-V curve를 통해 Vtn는 0.0146V 근처인 것을 알 수 있다.

Energy band gap=1.12eV, Ei=0.3036eV, Φf=0.3036eV. Vg=0.0146V 일 때, Energy band diagram의 휘어진 정도는 0.8636-0.3324=0.5312eV로 2Φf=0.6072eV와 비슷하다.

참고 자료

없음

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