CMOS - TTL interface 결과보고서

목차

1. 실험 (3) <그림 8-6>의 회로를 구성하여 Vdd(핀 14)에 +5V를 연결하고, Vss(핀 7)은 접지시킨 후 전압 Vout을 측정하라. (R=1k, 2.2k, 4.7k, 10k, 47k)
2. 실험 (4) <그림 7-7>의 회로를 구성하여 에 +5[V]를 연결하고, 는 접지 시킨 후 핀 3의 전압 을 측정하라. (R = 1㏀, 2.2㏀, 4.7㏀, 10㏀, 470㏀)
3. 비고 및 고찰

본문내용

실험3번 실험은 NOR게이트에서 입력을 모두 그라운드로 주었을 때 출력에 저항을 연결하여 저항이 증가함에 따라 전압의 출력값이 어떻게 변하는지를 확인하는 실험이었다. 아래의 결과를 확인해보면 저항이 조금씩 증가함에 따라 5V에 가깝게 계속 증가하는 것을 확인할수 있으며 위에 결과사진에는 없지만 저항이 무한일 때 즉 저항을 빼서 회로를 단락시켰을때의 전압은 5.15V로 최대 전압이 나오는 것을 확인할수 있었다.

<중 략>

이번 실험은 CMOS의 동작을 이해하고 CMOS와 TTL의 interfacing방법에 대하여 이해하는 실험이었는데 실험 3번 4번 5번만 진행하였다. 처음에 3번 회로를 구성하고 전압값을 측정해 보았다. 먼저 실험 3번에서 입력이 모두 그라운드일 때 저항의 변화에 따른 전압의 변화를 알아보는 것이었는데 실험결과에서 볼수 있듯이 확연하게 전압값이 3V~5V까지 증가하는 것을 확인 할수 있었다. 즉 저항에 따라서 전압값이 증가하는걸 보니 옴의법칙이 성립함을 실험으로써 알 수 있었다. 4번 실험의 경우도 3번실험과 거의 비슷한데 이번엔 입력이 그라운드와 VDD일때의 전압의 변화를 알아보는 것이었는데 3번과 반대로 전압이 감소하는 것을 확인할수 있었다.

참고 자료

없음