광센서 - 포토 다이오드와 포토 트랜지스터(Photo diode And Photo Transistor) {{광센서 - 포토다이오드와 포토트랜지스터(Photodiode And PhotoTransistor), 포토 트랜지스터,sensor,센서공학,전자,회로}} 한글파일

소개글

광센서 포토 다이오드와 포토 트렌지스터에 대한 소개와 원리, 동작등을 정리해놓은 한글 파일자료입니다

목차

1. 광센서

2. Photo diode
(1) 정의
(2) 특징
(3) 구조
(4) 동작원리
(5) Photo diode를 이용한 센서
(6) Photo diode의 활용제품

3. Photo transistor
(1) 정의
(2) 특징
(3) 구조
(4) 동작원리
(5) Photo Transistor를 이용한 Photo interrupter
(6) Photo Transisor의 활용제품

본문내용

[포토 다이오드와 포토 트랜지스터 보고서 본문 내용 中 발췌]

빛을 감지하여 이를 다시 처리가 용이한 양으로 변환하는 소자, 다시 말해 트랜스듀서(변환기 Transducer)라 한다.

2. Photo diode

(1) 정의
포토다이오드는 광에너지를 전기 에너지로 변환하는 광센서의 일종이며 그 구성은 반도체의 PN 접합부에 광검출 기능을 추가한 것이다.

(2) 특징
1) 플래너 구조이기때문에 diode특성이 좋고 부하를 걸었을때의 동작특성 이 우수하다
2) 저조도에서 고조도까지 광전류의 직선성이 양호하다
3) 소자간의 광출력의 편차가 동일조립상태에서 적다
4) 응답속도가 빠르다
5) 감도 파장이 넓다

(4) 동작원리

PN접합에서 P층과 N층의 접합부에는 전위장벽이 생긴다.
여기에 Eg보다 더 큰 에너지를 갖는 빛(E=hv)이 조사되면 전자는 전도대에 끌어올려지고 전자와 후에 남는 정공이 쌍이되어 형성된다.
이렇게 형성된 전자와 정공쌍이 공핍층에서 형성 되었을 경우는 바로 전계에 의해 가속되고 전자는 N층으로 정공은 P층으로 이동하게 된다.
또 전자와 정공쌍이 P층과 N층에서 발생한 경우에는 P층의 전자와 N층의 정공은 확산하게 되는데, 공핍층에 이르게 되면 전계에 의해 더욱 가속되고 각각 P층, N층에 들어와 전하가 축적되게 된다.

참고 자료

없음