[전자회로실험] ch08 MOSFET 기본 특성 실험 예비

*민*
개인인증판매자스토어
최초 등록일
2014.05.01
최종 저작일
2013.10
10페이지/한글파일 한컴오피스
가격 2,000원 할인쿠폰받기
다운로드
장바구니

목차

1. 실험회로

2. 예비 보고 사항(PSpice 분석 포함)
(1) NMOS의 기본적인 동작 원리를 설명하시오.
(2) NMOS의 세 가지 동작 영역을 설명하고, 각 동작 영역에서의 단자 전압들 사이의 관계를 정리하시오.
(3) MOSFET의 채널 길이 변조 효과에 대해서 설명하고, 채널 길이 변조 효과가 전류-전압 특성에 미치는 영향을 설명하시오.
(4) 실험회로 1에서 사이의 관계를 공부하고, PSpice를 이용하여 실험회로 1의 그래프를 그리시오.
(5) PSpice를 이용하여 실험회로 1에서 전류를 측정하고, 각 동작 영역에서 단자들의 전압과 전류를 구하시오.
(6) 실험회로 1에서 에 6V의 DC 전압을 인가하고, 전압이 6V의 DC 전압이 나오는 값을 구하시오.

3. 참고 문헌

본문내용

위의 그림 1을 보면 알 수 있듯이 바디는 p형 기판, 소오스와 드레인 영역은 n형으로 도핑을 한 MOSFET 구조를 "NMOS"라 한다. 소오스와 드레인은 n형으로 도핑되어 있으므로, 전자가 많이 존재한다. 전자가 소오스에서 드레인 영역으로 이동하기 위해서는 게이트에 충분히 큰 양의 전압을 인가해줘서 p형 기판의 일부를 n형 기판으로 반전시켜야 한다. 이때 생성되는 영역이 채널 영역이다.

참고 자료

전자회로 실험 - 기초부터 심화까지 / 이강윤 저 / 한빛미디어
PSpice 기초와 활용(Ver 16.3) / 최평 외 3인 저 / 복두
*민*
판매자 유형Bronze개인인증

주의사항

저작권 자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다.
자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다.
저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.
환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류 중복자료 저작권 없음 설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우 다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함) 인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우 자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

더보기
최근 본 자료더보기
  • 프레시홍 - 전복
  • 프레시홍-홍어
  •  '가슴이 떨리는 건 너 때문' 시사회 초대 이벤트
  • 릴레이이벤트
[전자회로실험] ch08 MOSFET 기본 특성 실험 예비