[전자회로실험]예비레포트-FET특성 및 증폭기

목차

1. 기초이론
2. 실험 예비 보고
3. OrCAD 시뮬레이션
4. Datasheet(2N5485)

본문내용

2 주차 [FET 특성 및 증폭기]
 이론을 통해 배웠던 특성곡선에 대해 확인한다.  이론을 통해 배웠던 FET 증폭회로에 대해 확인한다.

기초이론
 FET(Field Effect Transistor)

 FET(Field Effect Transistor) : 전계효과 트랜지스터, 단극(單極)트랜지스터 또는 FET 라고도 한다. 원리는 반도체의 소스(source)에서 집전극(集電極)의 드레인(drain)에 흐르는 전자류(電子流)를 게이트(gate)에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것이다. 즉, 채널의 저항을 변화시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것이다. 실효단면적을 변화시키는 것과(접합형 FET) 채널캐리어의 농도를 변화시키는 방법(MOS FET)으로 나눌 수 있다. W.쇼클레이 등이 트랜지스터를 발명한 동기는 FET 를 만들기 위해서였는데, 실제로는 프랑스의 S.테츠너가 테크네트론으로서 실현하였다. 그 후 황화카드뮴 박막(薄膜)을 사용하는 것과, 또 실리콘 표면에 산화막을 만들고 그 위에 제어용 전극(게이트)을 만든 MOS(metal oxide semiconductor)형이 만들어져서 대규모 집적회로가 제작되었다. 그래서 초기에는 각변이 5 mm 정도의 웨이퍼에 수백 개의 FET 를 형성할 수 있었으며, 점차 집적도가 높아져 갔다.  FET 의 종류 1. FET 는 접합형과 절연 게이트형(MOS 형)이 있고, 다시 각각 n 채널형과 p 채널형으로 나눈다

참고 자료

없음