논리회로실험 실험2 Electrical feature of CMOS semiconductor 결과보고서

목차

1. 실험과정 및 결과
2. 고찰

본문내용

- 결손도와 같이 회로를 구성하였다.
- 2채널 파워서플라이를 이용하여 5V의 전원공급과 변수인 CH1전압을 인가.
- 74HC04를 사용한다. 오실로스코프의 CH1를 IC 입력단자에 연결, CH2를 출력단자에 연결했다.
- 도선과 서플라이 간에 접점과 프로브와 도선과의 접점을 흔들거나 조작할 때 그래프의 점의 커지고 오차가 커져서 그래프를 판단할 수 없었음.
- 실험 주의사항인 사용하지 않는 입력핀의 입력 값은 VCC 또는 GND에 연결한다.
(Pull up/Pull down) 실험결과 값은 이렇게 변경하여 실험하였지만 사진을 그 전에 찍어둔 것이기 때문에 위에 첨부된 사진에서는 주의사항대로 구성하지 않을 것을 볼 수 있다.

<중 략>

실험 3-1과 3-2를 진행하면서 Rn과 Rp가 input 전압이 high, low인지에 따라 저항의 값이 바뀌어 전류의 흐름이 바뀌는 것을 알 수 있었다. high입력일 때는 Rp가 1MΩ이상의 수치로 작동하고, Rn은 측정한 수치와 같이 낮은 저항을 갖는다. low입력일 때는 반대로 Rn이 1MΩ이상으로 작동하고 Rp가 낮은 저항을 보인다.

◈ 실험 4 : CMOS의 AC 특성 확인
- 실험 과정 및 이론 :
CMOS not gate inverter에 ac 사각파를 인가하여 input과 output사이의 지연시간을 측정해보는 실험이었다. 74HC04에서 CH1과 CH2사이에 두 개의 inverter gate가 존재하도록 회로를 구성하였다. 그러므로 오실로스코프에서 측정되는 지연시간은 기본 지연시간의 두 배일 것이다.

참고자료

· 없음