CVD 화학기상증착 PPT 발표 자료ㄱ

소개글

CVD 발표 PPT파일입니다.
원리, 종류, 특징, 비교까지 다양하게 준비한 자료입니다.

목차

1.CVD 정의
1.1용어정리
2.CVD 원리
3.CVD 특징
4.CVD 종류(APCVD, LPCVD, PECVD, PHCVD, MOCVD)
5.비교

본문내용

1. CVD(Chemical Vapor Deposition) 란?
피복하는 기판상에 원료가스를 흘리고, 외부 에너지를 부여함으로써 원료가스를 분해하여 기상반응으로 박막을 형성하는 기술.
반도체 제조과정의 77%를 차지하는 전공정, 이 가운데 화학증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)공정은 13% 비율을 차지해 핵심공정으로 분류.
반응 원료의 유량 및 증착온도, 시간 등에 매우 민감한 특성을 나타내어 공정 조건을 확립하기가 어려움.
구성: 가스배분장치, 반응기, 펌프장치
Step coverage (차피복)
- 단차가 있는(굴곡진) 웨이퍼 표면에 전체적으로 박막을 증착하고자 할 때 표면의 단차보다 증착하고자 하는 박막의 두께가 얇으면 그 단차를 따라가면서 막이 증착될 것이고, 이때 단차가 있는 물질의 윗면과 옆면, 그리고 바닥면에 등착되는 박막두께의 비율.
Uniformity (균일도)

<중 략>

매우 낮은 온도(실온~300K)
저밀도와 불순물 함유
좋은 step coverage
MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)
유기 금속 화학 기상 증착법
유기 금속 증기를 열 분해 반응시켜 반도체 기판상에 금속 화합물을 퇴적 증착 시키는 방법. 주로 화합물 반도체 제조시 널리 사용된다.
기존의 CVD가 APCVD, LPCVD, PECVD와 같이 박막 증착 방법에 따라 종류를 구분했던 것과 달리 MOCVD는 사용하는 원료 소스의 형태로 분류한 것.
장점
단점
낮은 온도
소스 자체에 탄소가 들어있어 탄소가 기판과 소스의 반응시 막에 포함되어 들어갈 가능성 높다.
비교적 공정 간단
기판이나 결정 표면에 손상을 가하지 않음
기존의 CVD와 달리 원료를 기체화 시킬 부가적 장치 필요
증착 속도 빠름
5. 비교
“CVD” VS “PVD”
화학적 반응의 유무(PVD는 원자가 이동해 기판에 증착되고, CVD는 가스분자가 기판에서 재반응 한다.)
CVD가 PVD보다 접착력이 강함.
CVD가 PVD보다 증착속도가 빠름.

참고 자료

없음