트랜지스터실습 보고서!!

저작시기 2011.05 |등록일 2011.09.22 한글파일한컴오피스 (hwp) | 2페이지 | 가격 700원
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소개글

A+를 맞았던 보고서 입니다!! 열심히 작성했어요!!!

목차

1. 아래의 회로도를 구현하시오.
2. 위의 회로에서 저항 R을 다음과 같이 바꾸어 가면서 table의 공란을 계산과 측정을 통해 전부 채우시오. [주의: 전류는 멀티미터를 직렬로, 전압은 병렬로 연결해서 측정]
3. 실습 토의 (실험결과 요약 및 질문 사항)

본문내용

이번 실험은 IB, IC 빼고는 오차가 거의 없었다. 내 생각에는 IB, IC 의 단위가 와 이기 때문에 그렇게 큰 오차라고는 생각은 안하지만 이러한 오차가 나온 이유는 아마도 저항기의 저항이 정확히 이론값의 저항과 같지 않기 때문이라고 생각한다. 이 오차만 빼면 증폭률도 120~240 사이로 나오고 트랜지스터의 고유한 특성이므로 일정하게 나와야하는데 일정하게도 나왔다. VBE와 IB의 경우는 R이 바뀌어도 일정하므로 맞게 나왔고 IB가 일정하므로 IC도 일정해야하고 IC가 일정하니 VLED도 일정해야하는데 거의 일정하게 나왔다. 그리고 VR의 경우는 당연히 일정하지 않고 VR+ VLED+ VCE= 6V 이어야 하므로 VCE도 일정하지 않아야한다. 그리고 VR+ VLED+ VCE 가 각각 5.6V, 5.599V 로 나왔는데, 우리가 사용한 전압원은 거의 5.6V 이였으니 거의 맞게 나왔다 그러므로 IB, IC 빼면 실험은 거의 성공적이었고 트랜지스터의 특성도 더욱 확실히 알 수 있었다.
<질문 사항>
1. 그렇다면 R1을 바꾸게 되면 어떻게 되나?
2. 트랜지스터의 증폭률에도 한계가 있나?
3. 트랜지스터가 전류를 증폭시키는 원리는?
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