Wafer Cleaning & oxidaton

소개글

Wafer Cleaning & oxidaton

목차

1.실험제목
2.실험목적
3.실험이론
4.실험방법
5.실험 결과 및 고찰

본문내용

1.실험제목 : Wafer Cleaning & Thermal Oxidation

2.실험목적
미립자, 유기 잔여물, 무기 잔여물, 원하지않는 산화층을 제거하여 오염이없는 웨이퍼를 만들고 thermal CVD를 사용하여 원하는두께의 SiO2층을 만든다.

3.실험이론

WAFER CLEANING

예전에는 CHEMICAL용액을 이용하는 공정은 막질을 ETCH하는 목적으로 주로 적용되어 왔습니다.
그러나 DEVICE의 고집적화와 DESIGN RULE(회로선폭)의 HALF MICRON(0.5㎜) 세대가 출현함에 따라 각 PROCESS 중 WAFER 표면에 오염을 가져오는 것들(PARTICLE등)에 대한 CLEANING 요구가 많아지고, 중요시 되고 있습니다.
이런 PARTICLE 등의 이물질을 세정하는 방법은 CHEMICAL을 이용하는 방법, GAS PLASMA 처리방법, UV O3 조사법, 물리적으로 제거하는 BRUSH을 이용하는 SCRUBBER방법 등이 있다.

① Cleaning 원리 및 제거되는 물질

PARTICLE 등의 이물질을 세정하는 방법은 크게 CHEMICAL을 이용하는 방법, O3 수나 ION 수를 사용하는 방법, BRUSH를 이용하여 물리적으로 PARTICLE을 제거하는 SCRUBBER 방법, GAS PLASMA 처리나 UV O3 조사 등의 DRY CLEANING 방법 등이 있다.

참고 : cleaning에서 적용하는 chemical
(1) 무기용제 : H₂SO₄, NH₄OH, H₂O₂ , HF, HCl etc.
(2) 유기용제 : PRS-2000, ACT-CMI, ACT935, EKC245, CH3COOH, IPA etc.
(3) 기 타 : O3 수, 전해 ION 수, BRUSH공정(SPIN SCRUBBER)

① SC1(Standard Cleaning 1 or APM:Amonum Peroxide Mixture)

1960년대 미국 RCA사의 KERN에 의하여 만들어진 세정으로, 현재까지 가장 널리 사용되고 있는 세정방법인데, CHEMICAL 구성은 NH4OH/H2O2/H2O 인 알카리 용액이며, 사용 온도는 40~80℃, 구성 비율은 1:1:5 (NH4OH:H2O2:H2O)를 표준으로 각 회사마다 다양한 비율로 사용하고 있다.

참고 자료

없음