전자 재료에 대한 조사

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2010.05.06
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2010.05
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전자 물성학의 종류인 반도체 패키징, 태양전지, 광디스크 대한 원리 및 동향에 대해 서술하였다.

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반도체 Packaging이란 웨이퍼 상태로 가공이 되어 거대한 원안에 아주 작은 die 가 여러개가 배열을 이루며 붙어있는데 이것들 하나하나를 잘라서 외부의 먼지나 충격등에서 보호 하고 나름대로의 성능을 낼 수 있도록 해주는 것이고 우리가 볼 수 있는 최종단계의 검은 것으로 둘러쌓인 직사각형의 칩이다.
Package안 내부에는 칩과 리드프레임이나 PCB와 연결되어있는데 이 연결의 종류에는 wire bonding, tab bonding, flip chip bonding 3가지의 기술이 있다.
wire bonding은 웨이퍼에서 만들어진 칩의 사이즈가 너무 작아서 다른 회로들에 그대로 붙여 쓸 수가 없어서 그것을 보통 패키징과정으로 통해 모양좋게 네모난 프라스틱에 담고 회로에 올라갈만한 리드프레임으로 뽑아내는데, 이러한 패키지 내부에서 칩과 Lead Frame과는 얇은 선으로 연결하게 된다. 이렇듯 반도체 PAD에서 외부 단자로 연결하기 위해 심는 얇은 선들을 붙이는 것을 Wire bonding이라 하고 보통 전도도가 높은 금(Au)으로 된 Wire를 사용하며, 그 굵기는 보통 20~50um 사이가 된다.

Tab bonding은 ine pitch인 IO interconnection에 사용하며, 한번에 다수의 접합부를 형성할 수 있기 때문에 생산성이 매우 높고 자동화에 적합하다. Wire를 chip의 패드에 접합하는 Inner Lead Bond 공정을 위하여 열압착 방법을 사용하며,

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