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정궤환 회로

*우*
최초 등록일
2010.05.02
최종 저작일
2010.03
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소개글

전자회로실험 - 정궤환 회로

목차

(1)슈미트 트리거 회로
(2)사각파 발생회로
<토의사항>

본문내용

<이론값과 측정값>
⇒10K
이론값:, 측정값:-6.55V
이론값:,측정값:+7.23V
⇒1K
이론값:, 측정값:-1.206V
이론값:, 측정값:+1.397V
-이번 실험은 슈미트 트리거 회로를 구성하여 VTH와 VTL을 측정하는 실험이었다.
입력전압이 Vf이상이면 출력전압은 -Vcc, 입력전압이 Vf이하가 되면 출력전압은 +Vcc.
즉, 정궤환을 걸어서 증폭도를 크게하여 중간값을 발생시키지 않는 슈미트 트리거의 특성을 실험을 통해 확인하는 실험이었다.
R=10K일 때 VTL,VTH은 각각 6.5%, 3.1%의 오차를 기록하였고, R=1K일 때 VTL,VTH은 각각 5.7%, 8.7%의 오차를 기록하였다.
가변저항을 손으로 조절하면서 스위칭 되는 지점을 잡아 입력값을 측정해야 하는데, 가변저항을 약간만 움직여도 그 값이 크게 바뀌었기 때문에 그 값을 정확히 찾기란 쉽지 않았다.
또한 그림 4-4의 회로를 구성하였을 때, R=1K일때는 스위칭 되는 지점을 찾을 수 있었지만 R=10K일때는 스위칭 되는 지점을 찾을 수 없어서, 입력부분의 1K저항 두 개를 떼어낸뒤 스위칭 되는 지점을 찾아 그 값을 기록하였다. 하지만, 1K저항을 떼어내고 측정할 때 입력전압값이 높아져 가변저항에 고열이 발생하여 실험을 빨리 끝냈기 때문에 위에 첨부한 출력파형 사진도 R=1K일 때 밖에 사진이 없다.
(2)사각파 발생회로



<토의사항>
-예비보고서에서도 말했지만 슈미트 트리거(Schmitt trigger) 회로는 안정된 두 가지의 상태를 가지고 있고, 쌍안정 멀티 바이브레이터와 같이 상반된 두 가지의 동작 상태를 가지는 회로이다. 다시 말하면 쌍안정 멀티 바이브레이터의 변형된 형태라고 할 수 있다.
<실험1>에서는 입력전압이 L->H로 갈때와 H->L로 갈 때 다른 출력값을 얻는 것을 확인했는데, 이를 히스테리시스 특성이라고 말한다. 히스테리시스 특성은 입력전압값에 대한 어떤 임계값에 대하여 출력전압이 결정될 때 그 값이 흔들리는 것을 막을 수 있다.
이 실험에서는 VTH, VTL을 측정하기 위해 입력단의 1KΩ의 저항 두 개를 제거한 뒤 실험을 하였다. 시뮬레이션값을 보면 VTH, VTL 의 값이 ±7V정도가 되어야 스위칭 되는 현상을 관찰 할 수 있는데, VTH, VTL 의 값이 ±5V정도 밖에 되지 않아 스위칭 현상을 관찰 할 수 없었기 때문에 입력단의 전압을 높여주기 위해서 저항을 뗀 것이다. 그런데 실험하면서 가변저항이 가열 되어 실험을 최대한 빨리 진행하다가 출력파형의 사진을 찍지

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