flash memory,플래쉬 메모리

소개글

플래쉬 메모리의 종류와 원리 전문적인 내용

목차

1. 플래쉬메모리란?
2. 개요
3. 동작원리
4. 역사
5. 한계
6. 플래쉬 메모리의 종류 및 기능

Charge Trap Flash (CTF) memory
1. Charge Trap Flash(CTF)란??
2. Charge Trap Flash가 필요한 이유는??
3. SONOS-type Flash Memories
4. SONOS Memory Process
5. Program/Erase Chareacteristics
6. High-K Materials for Blocking Layers
7. High-K Materials for Trapping Layers
8.High-K SONOS & High Work Function Metal Gate

본문내용

1. 플래쉬메모리란?
플래시 메모리(flash memory)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성 컴퓨터기억 장치를 말한다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있다. 플래시 메모리는 EEPROM 보다 비용이 덜 들기 때문에, 어느 정도 중요 분량의 비휘발성인 고체 상태(solid-state) 저장 매체로 주로 사용된다.
대표적인 활용 예로 디지털 음악 재생기, 디지털 카메라, 휴대 전화를 들 수 있다. 일반적인 데이터를 저장하고 컴퓨터 사이에 데이터를 옮기는 용도로 USB 드라이브를 많이 사용하는데, 이 때에도 플래시 메모리가 쓰인다. 또한 게임 자료를 저장하기 위해 EEPROM 대신 플래시 메모리가 자주 사용되고 있어 게임 시장에서도 인기를 얻고 있다.
2. 개요
플래시 메모리는 메모리 칩 안에 정보를 유지시키는 데에 전력이 필요 없는 비휘발성 메모리이다. 게다가 플래시 메모리는 읽기 속도가 빠르며(비록 개인용 컴퓨터에서 메인 메모리로 쓰이는 DRAM만큼 빠르지는 않지만) 하드 디스크 보다 충격에 강하다. 이러한 특징으로 배터리로 동작하는 장치에서 저장 장치로 많이 사용한다. 플래시 메모리의 또다른 매력은 강한 압력이나 끊는 물에도 견딜 만큼, 물리적인 힘으로 거의 파괴되지 않는다는 점이다.
3. 동작원리
플래시 메모리는 전통적으로 비트 정보를 저장하는 셀이라 부르는 플로팅 게이트 트랜지스터(floating gate transistors)로 구성된 배열 안에 정보를 저장한다. 요즘 등장하는 플래시 메모리의 경우 하나의 셀에 존재하는 플로팅 게이트에 두 단계 보다 높은 전하를 저장하여 셀 하나에 1 비트 이상을 저장할 수 있는 MLC(Multi Level Cell) 장치라고 일컫는다.
NOR 플래시는 게이트 하나 대신 두 개를 갖고 있는 것을 제외하면, 각 셀이 표준 MOSFET과 비슷하다. 하나의 게이트는 또다른 MOS 트랜지스터처럼 콘트롤 게이트(CG)이지만, 두 번째 게이트는 산화물 층(oxid layer)에 의해 모든 주위가 절연된 플로팅 게이트(FG)이다. FG는 CG와 기판 사이에 위치한다. FG가 산화물층에 의해 절연되었기 때문에 그 곳에 위치한 전자는 갖히게 되고 따라서 정보가 저장된다. 전자가 FG에 있을 때, CG에서 나오는 전기장에 영향을 주어 셀의 문턱 전압(Vt)이 변경된다. 이와 같이 CG에 특정 전압을 가하여 그 셀의 정보를 읽을 때, FG에 있는 전자의 수에 따라 Vt이 다르기 때문에 전류가 흐르

참고 자료

없음