차세대 메모리의 선두주자 FRAM

최초 등록일
2001.12.03
최종 저작일
2001.12
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목차

1. Ideal Memory
2. 비휘발성 메모리
(1) Mask ROM
(2) EPROM
(3) EEPROM
(4) Flash Memory
(5) Battery Back-up SRAM
3. 강유전체 & 강유전체 메모리
(1) 강유전체란?
(2) 강유전체 메모리
4. FRAM
(1) FRAM의 기본 원리
(2) FRAM의 특징
(3) FRAM의 동작
5. FFRAM
(1) FFRAM
(2) MFSFET
(3) MFSFET의 문제점
(4) MFISFET
(5) MFMISFET
6. 강유전체 메모리의 신뢰성
7. 현재 상용화 중인 강유전체 재료
(1) Pb(Zr,Ti)O3(PZT)계열의 재료
(2) SrBi2Ta2O9(SBT)계열의 재료
(3) 강유전체 재료가 필요로 하는 사양
8. 맺음말

본문내용

1. Ideal Memory
우리는 메모리라고 하면 일단 컴퓨터의 주기억장치로 사용되는 DRAM을 생각하게 된다. 그러나 메모리의 종류는 그 외에도 많이 있으며, 그 용도 또한 매우 많다. 우리가 사용하고 있는 거의 모든 전자제품에는 일단 어떤 종류이든 메모리가 들어 있다.
많은 종류의 메모리가 추구하는 이상적인 메모리는 어떤 것인가? Ideal Memory의 요건은 다음과 같다.
1) 대용량 : 이상적으로는 무한대의 용량을 가져야한다.
2) 고속 동작 : access time은 '0'이다.
3) 비휘발성 : 한번 기억된 정보는 지워지지 않는다.
세 가지 조건은 모두 현실적으로 불가능하지만, 그에 가까운 기능을 가지는 메모리가 개발되어 사용되고 있다. 1)의 조건은 DRAM을, 2)는 SRAM을, 3)은 Flash Menory 또는 EPROM, EEPROM등을 사용함으로써 얻을 수 있다. 그러나, 지금까지의 메모리는 세 가지 조건을 모두 갖고 있지는 못하다. 이를 해결할 수 있는 새로운 Memory가 바로 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)이다.
2. 비휘발성 메모리
(1) Mask ROM
1) Mask ROM은 데이터를 한번 기록하면 다시 고칠 수 없다. IC 제조공정에서 데이터를 기록하는 방식으로써 데이터의 고쳐쓰기는 불가능하지만, 대량으로 생산할 경우 생산 단가가 가장 낮은 것이 장점이다.

참고 자료

川合 知二 원저, 유회준, 김시호, 유종선 옮김, "미래의 메모리 : FRAM" (시그마프레스, 2000년).
김광호, 유병군, 이희철 공역 "FRAM IC 카드 기술"(문영사, 2001년)
http://www.ieeexplore.ieee.org : IEEE homepage

자료후기(2)

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