이종 레지스트 패터닝을 이용한 테라헤르츠용 쇼트키 다이오드 개발

저작시기 2012.08 |등록일 2013.03.05 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 8페이지 | 가격 6,000원
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서지정보

발행기관 : 대한전자공학회 수록지정보 : 전자공학회논문지-SD / 49권 / 8호
저자명 : 한민, 최석규, 이상진, 백태종, 고동식, 김정일, 김근주, 전석기, 윤진섭, 이진구

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이종 레지스트 패터닝 기술 개발
Ⅲ. 쇼트키 다이오드의 제작
Ⅳ. 실험 결과 및 고찰
Ⅴ. 결론
참고문헌
저자소개

한국어 초록

본 논문에서는 테라헤르츠 시스템에 적용 가능한 쇼트키 다이오드를 이종 레지스트 패터닝 기술을 이용하여 제작 하였다. 제작된 쇼트키 다이오드는 전자선묘화공정(electron beam lithography)과 포토리소그래피(photolithography)를 사용하여 양극 및 양극 패드의 연결을 동시에 패터닝 하여 공정을 단순화 시켰다. 측정결과 제작된 쇼트키 다이오드의 직렬 저항은 11.2 Ω, 접합용량은 25.96 fF, 이상 계수(ideality factor)는 1.25를 얻었으며, 차단 주파수는 547.6 ㎓를 얻었다.

영어 초록

In this paper, we have fabricated the Schottky diode for THz applications by heterogeneous resist patterning method. The Schottky diode was developed using electron beam lithography and photolithography to connect the anode and the anode pad for a simple process. The measured performance of developed Schottky diode are 11.2 Ω of series resistance, 25.96 fF of junction capacitance, 1.25 of ideality factor and 547.6 ㎓ of cut-off frequency.

참고 자료

없음
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