1P-321 : 식각용액 내의 염화구리 농도에 따른 COF 배선 전극의 스프레이 습식 에칭 특성 변화

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최초 등록일
2020.08.25
최종 저작일
2020.08
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서지정보

발행기관 : 한국공업화학회 수록지정보 : 한국공업화학회 연구논문 초록집 / 2015권 / 1호
저자명 : 이도경 , 정지혜 , 조연주 , 정도윤 , 김강범 , 강지훈 , 오상덕

한국어 초록

디스플레이 패널에 신호를 인가하기 위한 구동 IC를 접속하는 데 사용되는 COF(Chip On Film)는 최근 기판 배선의 미세화가 요구에 대응 가능한 미세회로 전극패턴 제조를 위한 습식 에칭 기술 개발이 필요하다. 본 실험에서는 염화구리기반의 식각용액을 사용하여 스프레이 공정으로 Cu 전극의 습식 에칭 특성을 조사하였다. 염화구리 농도가 낮을 경우, 충분한 에칭이 완료되지 못하여 배선형성을 이루지 못하지만 염화구리 농도가 상당히 높을 때는 반응 물질의 농도가 커지게 되어 과에칭에 의한 배선 손실 및 배번의 하부가 많이 에칭되는 언더컷 불량이 발생하여 에칭팩터가 낮은 특성을 나타내었다. 염화구리 첨가량이 100g/Lt에서 에칭팩터가 가장 높게 분석되었다.

참고 자료

없음

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