PVD 방법에 의한 TiN/TiSi2-bilayer 형성

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최초 등록일
2016.04.02
최종 저작일
1998.12
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서지정보

ㆍ발행기관 : 한국재료학회 ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 8권 / 12호
ㆍ저자명 : 최치규, 강민성, 김덕수, 이광만, 황찬용, 서경수, 이정용, 김건호

한국어 초록

Si 기판을 실온과 600˚C로 유지하면서 동시 증착 방법으로 (Ti+2Si)를 증착한 후 N2 분위기에서 Ti를 증발시켜 TiN(300Å)/(Ti+2Si, 300Å)/Si(100) 구조의 시료를 제작한 다음 초고진공에서 in-situ로 열처리하여 양질의 TiN/TiSi2-bilayer를 형성하였다 열처리 온도가 700˚C 이상에서 (111) texture 구조를 가지면서 화학 양론적으로 Ti0.5N0.5인 박막과 C54-TiSi2박막이 형성되었다. TiN/C54-TiSi2/Si (100)구조의 계면은 응집 현상이 없이 평활하였으며, C54-TiSi2상은 에피택셜 성장되었다. TiN/TiSi2-이중구조막의 면저항은 열처리 온도에 따라 감소하였으며, 700˚C 이상의 열처리 온도에서는 면저항 값이 2.5Ω/cm2 였다.

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