CoSi2 에피박막을 확산원으로 이용하여 형성한 매우 얇은 접합의 전기적 특성

서지정보

ㆍ발행기관 : 한국재료학회 ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 8권 / 5호
ㆍ저자명 : 구본철, 심현상, 정연실, 배규식

한국어 초록

Co/Ti 이중막을 급속열처리하여 형성한 CoSi2에 As+을 이온주입한 후, 500~1000˚C에서 drive-in 열처리하여 매우얇은 n+ p접합의 다이오드를 제작하고 I-V 특성을 측정하였다. 500˚C에서 280초 drive-in 열처리하였을 때, 50nm정도의 매우 얇은접합이 형성되었고, 누설전류가 매우 낮아 가장 우수한 다이오드 특성을 나타내었다. 특히, Co 단일막을 사용한 다이오드에 비해 누설전류는 2order 이상 낮았으며, 이는 CoSi2Si의 계면이 균일하였기 때문이다.

참고 자료

없음