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LED 분광광도계의 제작 예비2025.05.091. 분광광도계 분광광도계는 빛의 성질 중 흡수를 이용하는 장치이다. 물질이 빛에너지를 흡수하면 다양한 분자 운동을 하면서 고유의 흡수 스펙트럼을 가지는데, 이러한 스펙트럼을 측정하는 장치가 분광광도계이다. 분광광도계의 구조는 광원-단색화장치-시료부-검출부-변환기로 구성되어 있는데, 이번 실험에서 광원으로는 LED를 사용하며 검출부로는 photoresistor(CdS photocell)를 사용한다. 2. Beer-Lambert 법칙 Beer-Lambert 법칙은 빛의 흡수를 정량적으로 분석하기 위해 사용한다. 투과도(transmit...2025.05.09
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한국기술교육대학교 전자회로실습 CH4. 다이오드 클리퍼 클램프 실험보고서2025.05.051. 클리퍼 회로 클리퍼 회로는 신호를 전송할 때 어떤 값 이상 또는 이하의 신호전압을 제거하는 회로이며, 리미터(limiter), 슬라이서(slicer)라고도 부른다. 정현파를 구현파로 전환하거나 입력신호의 일부 혹은 전부, 양(+) 또는 음(-)의 파형을 잘라 낸 파형을 보내는 정류작용도 한다. 2. 클램프 회로 클램프 회로는 입력파형의 모양은 변화시키지 않고 다른 직류레벨(DC level)에 고정시키는 회로이다. 회로의 시정수 τ=RC가 주기 T에 비하여 충분히 크면 리플전압이 작아져 한 주기동안 커패시터의 양단전압이 계속 유...2025.05.05
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 결과보고서2025.01.151. 공통 이미터 증폭기 공통이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 동작 영역 실험회로 1에서 VBB가 0~0.5V일 때는 출력전압 VO가 거의 바뀌지 않고 VBB또한 VBE>0.7의 조건을 만족하지 않아 cut-off(차단영역)임을 알 수 있다....2025.01.15
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH7. 쌍극접합 트랜지스터 실험보고서2025.05.051. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...2025.05.05
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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전자회로 다이오드 응용회로 실험보고서2025.05.091. 다이오드 다이오드란, p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉과 리드선이 연결된 소자로 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다. 이러한 성질을 이용하여 input으로 들어간 교류를 직류로 변환하는 등의 정류회로를 구성하는 데 사용한다. 2. 반파정류회로 반파정류회로란, 양과 음 중 한 쪽 Vin만 출력시키는 회로이다. 그림1의 회로에서 Vout은 Vin이 VD,ON 을 초과할 때까지 0을 유지하는데, 이 점에서 D1은 켜지고 VOUT = Vin – VD,ON...2025.05.09
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실험 15_다단 증폭기 결과보고서2025.04.281. 다단 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 다단 증폭기를 구성하고, 그 특성을 분석하였다. 단일단 증폭기만으로는 이득이 부족하거나, 소오스 및 부하 임피던스와 증폭기 자체의 입력-출력 임피던스의 차이가 클 경우에는 일반적으로 다단 증폭기를 사용한다. 실험을 통해 다단 증폭기의 입력단과 출력단의 임피던스 조건, 전압 이득 특성 등을 확인하였다. 2. MOSFET 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 2단 증폭기와 3단 증폭기를 구성하고 그 특성을 분석하였다. MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하고, 이를 이...2025.04.28
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교류및전자회로실험 실험5-1_다이오드 특성실험 결과보고서2025.01.201. 다이오드 특성 이번 실험에서는 다이오드의 전압-전류 특성을 실측을 통해 확인하였다. 다이오드가 정방향으로 연결되었을 때 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가 그 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가하는 것을 확인하였다. 역방향으로 연결되었을 때는 전류가 흐르지 않음을 확인하였다. LED의 경우에도 비슷한 특성을 보이지만, 전압-전류 특성 곡선에서 특정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가, 해당 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가함을 확인하였다. 2. 부하선 특성 실험을 통해 다이오드 회로에서 부하선을 얻는 방법을 확인하였...2025.01.20
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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데이터통신 네트웍 장비 중 허브, 브리지, 라우터, 게이트웨이에 대한 설명2025.05.091. 허브 허브는 컴퓨터나 프린터들과 네트워크 연결, 근거리의 다른 네트워크와 연결, 라우터등의 네트워크 장비와 연결, 네트워크 상태 점검, 신호 증폭 기능 등의 역할을 수행한다. 허브는 박스형태의 장비에 책을 연결해서 이더넷 네트워크를 구성한다. 스위치 허브의 경우에는 허브의 성능을 향상시키는 장비라고 할 수 있다. 허브의 각 호스트는 외형상 허브에 스타형 구조로 연결되어있다. 그리고 허브의 내부동작은 공유 버스 방식으로 구성되어있다. 허브의 종류는 크게 더미허브와 스위칭 허브로 나눌 수 있다. 2. 브리지 브리지는 두 개의 근거...2025.05.09
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