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Si 태양전지 화공실험 레포트2025.11.131. Si 태양전지 구조 및 공정 실리콘 태양전지는 여러 개의 Solar Cell을 연결하여 PV Module을 구성한다. 태양전지의 기본 구조는 n형과 p형 반도체가 접합된 형태로, 각 끝에 전극이 부착되어 있다. 웨이퍼는 반도체의 기본 재료이며 단결정, 멀티결정, 폴리결정, 마이크로결정 등의 종류가 있다. Si 반도체 공정은 웨이퍼 준비, P-N 접합 형성, 산화막 제거, 반사방지 코팅, 금속화, 마무리 단계를 거친다. 각 단계에서 화학적 처리와 열처리 공정이 포함되어 있다. 2. P-N 접합 원리 P-N 접합은 홀 농도가 높은...2025.11.13
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소재물성실험 시험 요약본2025.04.301. 3DP의 정의와 기술 3DP(3D 프린팅)은 설계 데이터에 따라 고체, 액체 형태의 폴리머(수지), 금속 등의 재료를 가공하여 적층 방식(Layer-by-layer)으로 쌓아올려 제품을 제조하는 공정입니다. 3DP의 주요 기술에는 Material Extrusion, Material Jetting, Binder Jetting, Sheet Lamination, Vat Photopolymerization, Powder Bed Fusion, Directed Energy Deposition 등이 있습니다. 금속을 재료로 사용하는 3DP...2025.04.30
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Geometrically Stretchable OLED 실험 보고서2025.05.121. AMOLED 소자 및 공정 실험 AMOLED 소자 및 공정 실험을 통해 Geometrically Stretchable OLED(GSOLED)의 특성을 분석하였다. 3M 테이프에 GSOLED를 붙여 연신 차이에 따른 소자 효율을 측정하였으며, 전극의 투과성 향상, 신축성 디스플레이의 세대별 특징, 구부러짐에 따른 인장 및 압축 응력, GSOLED의 다양한 응용 분야 등을 확인하였다. 2. 응력완화 기판 기술 KAIST 연구팀은 고변형에도 성능을 유지할 수 있는 신축성 OLED를 개발하였다. 응력완화 기판은 독특한 구조를 가지고 ...2025.05.12
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CMOS 인버터 설계 및 특성 분석 실험2025.11.181. CMOS 인버터 설계 공정 CMOS 인버터 설계는 웨이퍼 준비, n-well 형성, 활성 영역 정의, 게이트 형성, S/D 도핑, 어닐링, 컨택 형성, 금속화, 전극 형성 등 10단계의 공정으로 구성된다. 총 7개의 마스크(well, active region, poly, n-select, p-select, contact, metal mask)를 사용하여 미세한 패턴을 형성하고, 각 단계에서 산화막 증착, 식각, 이온 주입, 확산 등의 반도체 공정 기술이 적용된다. 2. 도핑 농도 및 접합 깊이 최적화 NMOS와 PMOS의 도핑...2025.11.18
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AMOLED 소자 및 공정실험 캡스톤 디자인2025.05.121. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 core 물질에 EDG가 붙어있는 형태로, 이번 공정에서는 HIL층의 물질로 사용된다. HIL층은 hole이 EML층에 쉽게 주입되기 위해 ITO전극과 일함수 차이가 작아야 한다. HIL은 방출광이 재 흡수되지 않도록 적절한 Band-gap을 필요로 한다. 2. NPB NPB는 이번 공정에서 HTL층의 물질로 사용된다. HTL에 주로 쓰이는 물질들에도 core 물질에 EDG가 붙어있다. HTL은 발광층 계면에서 화합물을 형성하지 않는 재료를 사용해야 한다. 또한 원활한 hole transp...2025.05.12
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반도체 하드마스크 SOH 레포트2025.05.021. SOH (Spin-on Hardmasks) SOH는 패터닝 공정에서 반도체 미세 패턴 구현을 위한 보조재료입니다. gap을 채우고 평탄화를 강화하여 내에칭성을 강화해야하는 특성을 요구합니다. SOH는 반도체 회로 패턴 형성 시 기존의 CVD 방식이 아닌 spin coating 방식으로 막을 형성하는 미세 패턴 형성 재료로, 미세 선폭의 패턴 정확도를 구현합니다. 2. PR MASK와 HARD MASK 비교 미세패턴을 구현하려면 PR MASK의 폭이 점점 줄어들어야 합니다. PR MASK의 가로에 대한 세로의 비율이 특정 값보다...2025.05.02
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AMD 실험 결과보고서 Optical property of PEDOT_PSS, PDY2025.05.041. PEDOT:PSS PEDOT:PSS는 conductive polymer재료로서, 높은 일함수(보통 5.1eV)와 좋은 Hole affinity을 가지고 있어 정전기 방지막의 재료로 사용된다. 소형 디스플레이에서 사용하는 Bottom emission OLED의 경우 HIL방향으로 빛이 나오고 PEDOT:PSS는 가시광선 투과율이 높기 때문에 HIL로 사용하기 적합하다. HIL의 경우 ITO와 물리적, 화학적으로 궁합이 맞아야 하는데, PEDOT:PSS와 ITO 모두 친수성이기 때문에 접합력이 좋고, ITO로부터 Hole주입도 원...2025.05.04
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Oxidation (반도체)2025.05.081. SiO2 Layer SiO2 레이어는 다음과 같은 용도로 사용됩니다: (1) 도펀트 확산 및 이온 주입 동안 마스크로 사용, (2) 칩 상의 다른 장치 간 전기적 절연 제공, (3) 금속-산화물 반도체 장치에서 게이트 산화물 및 커패시터 유전체로 사용, (4) 실리콘 표면의 패시베이션 제공, (5) 다단계 금속화 구조에서 전기적 절연 제공. 2. SiO2 종류 SiO2에는 세 가지 종류가 있습니다: (1) 자연 산화막 - 실리콘이 공기 중에 노출되면 얇은 자연 산화막이 형성됨, (2) 열 산화막 - 고온에서 실리콘을 산화시켜 ...2025.05.08
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반도체공정 과제2025.05.101. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)은 4개의 단자(source, drain, gate, 기판의 접지)로 구성되어 있으며 금속-산화물-반도체 구조로 이루어져 있습니다. 평면(2D) 구조를 가지고 있습니다. FinFET(Fin Field Effect Transistor)은 트랜지스터 모양이 물고기 지느러미를 닮아 붙여진 이름입니다. MOSFET의 집적도를 높이기 위해 채널 길이를 줄...2025.05.10
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[부산대] 광학실험 보고서, 분광광도계2025.05.101. 분광기(spectrometer) 분광기는 광원의 각종 복사선과 물질과의 상호작용을 다루는 분광학에서 사용되는 장치로서 광학분야에서는 광의 주파수 특성과 광학재료의 투과와 흡수 및 반사를 측정하는데 사용된다. 일반적으로 분광기는 슬릿, 회절격자, 반사경, 광센서로 구성되어 있다. 분광기는 각 파장을 분리하는 역할을 하고, 이에 따른 스펙트럼을 보여준다. 분광기의 종류에 따라 분리된 스펙트럼이 다른데 분광기는 기능에 따라 UV, visible, 적외선 등을 보여준다. 2. 빛의 투과, 흡수, 반사 빛이 다른 특성을 가진 두 매질에...2025.05.10
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