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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 2. Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.04.291. Op Amp의 Offset Voltage 측정 Op Amp의 offset 전압을 측정하는 방법에 대해 설명하였습니다. 이상적인 Op Amp를 사용하여 Inverting Amplifier를 설계하고, 두 입력 단자를 접지하여 출력전압을 측정하면 Offset Voltage를 구할 수 있습니다. 또한 Op Amp의 Offset Voltage를 최소화하는 방법도 제시하였습니다. 2. Op Amp의 Slew Rate 측정 Op Amp의 Slew Rate를 최소화하는 방법에 대해 설명하였습니다. Slew Rate는 입력 전압의 주파수를 ...2025.04.29
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(22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.301. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 목적은 MOSFET 소자의 문턱 전압(Vth), 전달 전도도(gm), 드레인 전류(Id) 등의 특성 파라미터를 데이터시트를 이용하여 계산하고, 시뮬레이션을 통해 검증하는 것입니다. 또한 특성 곡선을 도출하여 MOSFET 소자의 동작 특성을 분석하고자 합니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxid...2025.04.30
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_결과보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실습에서는 이전에 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성과 커패시터들의 영향을 측정하고 평가하였습니다. 실험 결과, 전압 및 전류 측정에서 평균 2.5% 이하의 오차를 얻을 수 있었고, 1MHz 이하의 주파수 대역에서는 실험 결과와 시뮬레이션 값의 차이가 작았습니다. 하지만 1MHz 이상의 고주파 대역에서는 오차가 크게 나타났습니다. 이는 가변 저항 값의 오차와 입력 전압이 작아 오실로스코프에서 정확한 측정이...2025.01.22
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 7_Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과회로에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10uF으로 하고 CE 증폭기에 100㎑, 20mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하였다. 출력전압의 최대값은 152mV, 최솟값은 -137mV이다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 10㎒까지 변할 때 CE amplifier의 주파수 특성을 PSPICE로 simulation하여 그래프로 그렸다. 입력신호의 주파수가 10㎐에서 Unit gain frequency까지 변...2025.01.11
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전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)2025.01.141. 실리콘 다이오드 특성 실험 결과, 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스에서는 약 0.58V의 전압이 측정되었고, 역방향 바이어스에서는 OL 표시가 나타났다. 이는 이론적인 값과 유사한 결과이다. 또한 순방향 바이어스에서는 낮은 저항값을, 역방향 바이어스에서는 매우 높은 저항값을 나타내어 이론과 일치하는 결과를 보였다. 순방향 바이어스의 특성곡선은 0.7V 부근에서 수직에 가까운 모습을 보였는데, 이는 다이오드 내부 저항과 회로 내부 저항 등의 변수로 인한 오차로 볼 수 있다. 2. 다이오드 역방향 바이어스 특성 실험 결과, 실리콘...2025.01.14
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 7 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.05.011. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험의 2차 설계 결과 회로(Ri 추가)에 대하여 모든 커패시터의 용량을 10 uF으로 하고 CE 증폭기에 100 kHz, 20 mVpp 사인파를 입력하였을 때의 출력파형을 PSPICE로 Simulation하여 제출하였습니다. 출력전압의 최댓값(V_max), 최솟값(|V_min|)은 각각 159.256 [mV], 167.574 [mV]이며, V_max/|V_min| 비율은 95.036%입니다. 입력신호의 주파수가 10 Hz에서 10 MHz까지 변할 때 CE amp...2025.05.01
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중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.04.291. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가했습니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 전압의 최대값, 최소값, 증폭기 이득, 전체 전압 이득 등을 구했습니다. 또한 입력 신호 주파수 변화에 따른 주파수 특성을 분석하여 unity gain frequency와 3dB frequency를 확인했습니다. 이후 emitter 저항과 커패시터 값을 변경했을 때의 주파수 특성 ...2025.04.29
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전기회로설계 및 실습_설계 실습12. 수동소자의 고주파특성 측정방법의 설계_결과보고서2025.01.211. 수동소자의 고주파 특성 이 보고서는 전기회로설계 및 실습 과정의 14주차 보고서로, 수동소자인 저항, 커패시터, 인덕터를 이용하여 회로를 설계하고 고주파에서 이러한 수동소자들이 어떻게 동작하는지 이해하는 것을 목적으로 합니다. 저항, 커패시터, 인덕터는 저주파에서는 이상적인 특성을 보이지만 주파수가 높아지면 기생 성분의 영향으로 인해 특성이 변화하게 됩니다. RC 회로와 RL 회로에 대한 실험 결과를 통해 고주파 영역에서 수동소자의 동작 특성을 확인하였습니다. 2. RC 회로의 고주파 특성 RC 회로에서 저항에 걸리는 전압을 ...2025.01.21
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회로이론및실험1 12장 커패시터 직병렬 회로 A+ 결과보고서2025.01.131. RC회로의 위상 특성 실험을 통해 RC회로의 위상 특성을 이해하였다. RC직렬회로에서 저항 전압은 전류와 동상이며 전원 전압보다 앞선 위상이고, 커패시터 전압은 전원 전압보다 뒤진 위상이며, 커패시터 전압과 전류의 위상차는 90도이다. RC병렬회로에서는 어드미턴스를 적용한 옴의 법칙을 사용할 수 있다. 2. RC회로의 전압과 전류의 관계 실험을 통해 RC회로의 전압과 전류의 관계를 이해하였다. 커패시터에 걸리는 전압과 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상 관계를 파악하였으며, 커패시터 내에 흐르는 전류의 위상이 커패시터에 걸리는 ...2025.01.13
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