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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.211. BJT 구동 회로 설계 BJT를 이용하여 LED 구동 회로를 설계하였습니다. 부하가 emitter에 연결된 경우와 inverter에 연결된 경우에 대해 각각 IB, IE, IC, VB, VC, R1, R2를 계산하고 총 소비전력을 구하였습니다. 또한 구동 신호 VIN이 5V(High)일 때와 0V(Low)일 때의 동작을 분석하였습니다. 2. MOSFET 구동 회로 설계 MOSFET을 이용한 LED 구동 회로를 설계하였습니다. MOSFET의 datasheet를 참고하여 적절한 RD(ON)을 선정하고, MOSFET의 Triode ...2025.01.21
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태권도의 540도 뒤후려치기에 적용되는 운동학적 분석 및 운동역학적분석을 통해 이동경로 및 발로 인한 충격력을 설명하시오2025.01.241. 태권도 540도 뒤후려치기의 운동학적 분석 540도 뒤후려치기는 신체의 회전과 발차기를 결합한 기술이다. 이 기술을 운동학적으로 분석하기 위해서는 먼저 신체의 주요 관절 움직임과 회전을 이해해야 한다. 기술은 기본적으로 회전 동작을 포함하며, 이러한 회전은 몸통, 골반, 다리의 협력으로 이루어진다. 시작 단계에서 발을 축으로 삼아 몸통과 골반을 회전시키며, 회전 속도가 점차 증가한다. 이때 팔의 위치와 상체의 움직임도 중요한 역할을 한다. 발차기의 궤적은 직선적이지 않으며, 540도 회전 후 목표 지점에 도달하기 위해 곡선을 ...2025.01.24
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출석대체 생활체육4 운동역학 운동역학이론 중 1가지를 선택하여 해당 이론이 특정 스포츠 현장에서 어떻게 적용되고 있는지 구체적인 사례2025.01.251. 운동역학의 개념 운동역학은 운동을 유발하거나 변화시키는 원인을 힘으로 보고 이러한 힘에 대해 연구하는 학문이다. 즉, 인체에 작용하는 힘과 이 힘으로 인한 여러 운동을 효과적으로 수행할 수 있도록 학문적으로 연구하는 것이다. 운동역학을 이해하기 위해서는 정역학, 동역학, 운동학, 운동역학 등의 용어를 정리할 필요가 있다. 2. 운동역학의 목적과 연구내용 운동역학의 목적은 동작을 효율적으로 수행하여 경기력(운동기술)을 향상시키고, 운동 상해를 예방하는 것이다. 이를 위해 운동역학은 인체의 움직임을 분석하고, 운동 수행에 필요한 ...2025.01.25
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전자회로실험 A+ 6주차 결과보고서(BJT Operations-Large/Small signal Operation)2025.05.101. BJT 회로의 Large/Small signal 분석 이 실험에서는 BJT 회로의 Large signal과 Small signal 분석 방법을 익히고, 실험을 통해 BJT의 VCE-IC 특성곡선을 측정하고 Small-signal 모델 파라미터를 계산하였다. 또한 Small-signal 이득을 측정하고 이론값과 비교하였다. 실험 결과, BJT 회로에서 Early 효과로 인해 VCE가 증가함에 따라 IC가 조금씩 증가하는 것을 확인하였다. 또한 Small-signal 모델에서 계산한 이득과 실험으로 측정한 이득을 비교하여 바이어스...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 21 차동 증폭기 심화 실험)2025.01.291. MOS 차동 쌍 회로 주어진 MOS 차동 쌍 회로는 정전류원을 기반으로 한 차동 증폭기로, 신호 증폭과 공통 모드 신호 제거를 위한 고급 회로 구조를 가지고 있다. 주요 동작 원리는 입력 트랜지스터, 전류 거울, 부하 트랜지스터 등으로 구성되어 있으며, 공통 모드 제거, 정전류 안정성 등의 특성을 가지고 있다. 이 회로는 고속 신호 처리, 연산 증폭기의 입력단, 데이터 변환기 등 다양한 아날로그 회로에서 사용된다. 2. 실험 절차 및 결과 실험 절차에는 증폭기 설계를 위한 동작점 결정, 입력-출력 공통 모드 전압 레벨 확인, ...2025.01.29
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중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 10. RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답2025.04.291. RLC 직렬회로의 공진주파수 및 진동주파수 계산 RLC 직렬회로에서 공진주파수(ωo)와 진동주파수(ωd)를 계산하는 방법을 설명하였습니다. R = 500 Ω, L = 10 mH, C = 0.01 μF인 경우 ωo = 15915 Hz, ωd = 15914 Hz로 계산되었습니다. 2. RLC 회로의 과도응답 시뮬레이션 RLC 직렬회로에 0 ~ 1 V, 1 kHz, 듀티 사이클 50%의 사각파 입력을 인가했을 때의 과도응답을 PSpice 시뮬레이션으로 확인하였습니다. 부족감쇠(under-damped) 응답이 나타났습니다. 3. RL...2025.04.29
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BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.01.111. BJT 구동 회로 설계 BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 LED를 구동하는 회로를 설계하려 한다. BJT가 완벽하게 saturation 영역에서 동작하게 하기 위해서는 적절한 저항 값 R1, R2, RC를 설정해야 한다. 부하가 emitter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R1, R2, RC를 구한다. LED가 ON될 때 회로의 총 소비전력도 계산한다. 부하가 inverter에 연결된 LED 구동회로 설계 시 LED에 2V가 걸리고 20mA가 흐르도록 R3를 구하고, ...2025.01.11
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
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Tunnel-FET Based SRAM Bit Cell Design2025.05.101. TFET 디바이스 및 특성 TFET는 밴드-대-밴드 터널링 메커니즘을 사용하여 MOSFET의 60mV/decade 한계를 극복할 수 있는 초저전력 애플리케이션의 유망한 후보로 부상했다. TFET 디바이스의 단방향 전류 전도 특성과 낮은 온전류로 인해 SRAM 셀의 견고성이 저하되는 문제가 있다. 이 논문에서는 TFET 회로 스위칭/출력 특성/성능과 기본 물리학을 자세히 분석하고, SRAM의 평가 요소인 SNM을 조사하고 표현한다. 또한 TFET와 MOSFET을 함께 사용하는 하이브리드 GAA 6T SRAM을 제안한다. 2. S...2025.05.10
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