총 147개
-
Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 실험 결과2025.11.141. Common Emitter Amplifier Common Emitter Amplifier는 모든 BJT amplifier 구성 중에서 가장 널리 사용되는 증폭기이다. 이 실험에서는 저번 실험에서 설계한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 측정하였다. DC 전압 측정 결과 오차는 1% 내외였으나, base 전류는 13.3%의 오차를 보였다. 이는 전류값의 단위가 마이크로 단위로 매우 작아 측정 장비의 정밀도 한계로 인한 것이다. 또한 β값의 오차율은 15.3%를 나타냈다. 2. 주파수 응답 특성 주파수를...2025.11.14
-
쌍극성 접합 트랜지스터 특성 실험2025.11.171. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 구조 및 동작원리 BJT는 2개의 p-n 접합으로 구성되며 p-n-p형 또는 n-p-n형으로 분류된다. 이미터, 베이스, 컬렉터 3개의 전극을 가지고 있다. 이미터-베이스 접합은 순방향 바이어스되고 베이스-컬렉터 접합은 역방향 바이어스된다. 베이스 영역이 얇을수록 베이스 전류는 작아지고, 이미터에서 주입된 전자들이 베이스를 통과하여 컬렉터로 수집된다. 이 과정에서 전자와 정공의 이동으로 인해 세 개의 전류(IE, IB, IC)가 발생한다. 2. 트랜지스터 동작 영역(차단, 포화, 활성 영역) 차...2025.11.17
-
서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
-
[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 결과보고서 7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.04.291. Common Emitter Amplifier 본 실험에서는 Common emitter amplifer의 주파수 특성을 측정하였다. 첫 번째 실험에서는 설계실습 06에서 2차 설계를 완료한 common emitter amplifer를 구현하고, Bias를 측정하였다. Bias가 PSPICE의 결과와 오차율 1% 정도의 정확한 값을 보였지만, 는 13.3%의 큰 오차율을 보였고, 이는 [㎂]라는 매우 작은 단위 때문이라 생각하였다. 는 에 의존하므로 동일하게 큰 오차율을 보였다. max min는 2차 설계를 통해 을 연결하여 95...2025.04.29
-
BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
-
BJT 바이어스 회로의 동작점 분석 및 특성 비교2025.11.161. BJT 동작 영역 바이폴라 접합 트랜지스터는 차단, 활성, 포화의 3가지 영역으로 동작한다. 차단영역은 Emitter와 Base 사이에 역방향 전압을 공급하여 전류 흐름이 없는 상태이고, 활성영역은 Base-Emitter 간 순방향, Base-Collector 간 역방향 전압으로 선형 증폭이 가능하며, 포화영역은 모두 순방향 바이어스되어 스위치 완전 ON 상태가 된다. 증폭기로 사용되려면 활성영역의 중간에서 동작하도록 바이어스를 설정해야 한다. 2. 고정 바이어스 회로 가장 기초적인 바이어스 방법으로 베이스 전류는 회로의 전압...2025.11.16
-
BJT의 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로2025.01.121. BJT 바이어스 회로 이번 실험에서는 BJT의 고정 바이어스 회로와 전압 분배기 바이어스 회로를 구성하여 각 소자에 걸리는 전압을 측정하고 전류의 관계를 확인하였다. 고정 바이어스 회로에서는 트랜지스터를 바꾸어가며 측정했을 때 V_C와 I_C에 큰 차이가 발생했지만, 전압 분배기 바이어스 회로에서는 대부분의 값이 일정하게 유지되었다. 이를 통해 전압 분배기 바이어스 회로가 고정 바이어스 회로에 비해 더 안정적인 회로라는 것을 알 수 있었다. 2. 트랜지스터 특성 측정 실험에서는 트랜지스터의 β 값을 측정하고 이론값과 비교하였다...2025.01.12
-
BJT 이미터 및 컬렉터 귀환 바이어스 실험2025.11.181. 이미터 바이어스 회로 이미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 이미터 쪽에 저항을 추가한 구조로, 베이스 입장에서 negative feedback을 발생시켜 동작점을 안정화시킨다. 베타 값 증가로 인한 컬렉터 전류 증가 시 이미터 전압이 상승하여 베이스 전류를 감소시키고, 이를 통해 컬렉터 전류 변화를 억제한다. 회로방정식 분석 결과 RE >> RB/β 조건에서 IC가 베타 값에 거의 영향을 받지 않으며, 이는 동작점 안정성을 크게 향상시킨다. 2. 컬렉터 귀환 바이어스 회로 컬렉터 귀환 회로는 베이스 저항이 VCC에 직접...2025.11.18
-
중앙대 전자회로설계실습 결과보고서72025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이번 실험은 이전 설계실습을 보완하기 위해 ∈ 을 연결한 2차 설계 common emitter amplifier의 주파수 특성과 주파수에 따른 overall gain에 대해 알아보았다. 2차 설계 common emitter amplifier의 Base, Emitter의 Voltage의 오차율 약 1% 미만으로 작은 오차율을 보였지만, base current는 19.95%의 오차율을 보였다. 이는 BJT의 non-linear 특성으로 인한 결과라고 예상한다. 특히 m a...2025.01.12
3 / 15
