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pn junction 에너지밴드2025.05.081. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. p-n 접합이 형성되면 n형과 p형 사이에 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하여 에너지 장벽이 생성됩니다. 이 에너지 장벽으로 인해 전자의 이동이 제한되어 전류가 잘 흐르지 않게 됩니다. 2. p-n Junction의 정량적 설명 p-n 접합부에서의 푸와송 방정식을 풀이하여 열평형 상태에서의 에너지 다이어그램을 도출하였습니다. 공핍층 내부의 전하 밀도 분포와 전계 분포를 분석하여 에너지 밴드 구조를 정량적으로 설명하였습니다. 3. p-...2025.05.08
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[물리학실험] 액체와 기체의 압력 결과보고서 A+2025.01.201. 보일의 법칙 실험 1에서는 온도가 일정할 때, 압력과 부피의 곱이 항상 일정하다는 보일의 법칙을 확인해 보는 실험이었다. 실험 결과 V_1 대 1/P의 그래프는 직선에 가깝다는 것을 알 수 있었다. 이는 점들을 이은 선을 봤을 때 직선에 가까운 것을 보면 알 수 있다. 이 그래프의 x축은 1/P이고 y축의 값은 V인데 이 값이 직선이라면 부피와 압력을 곱한값이 일정하다는 결론을 가능하게 한다. 즉 P(V_1 + V_0) = const, V_1 = const * 1/P - V_0 라는 뜻이다. 온도가 일정할 때 부피와 압력은 서...2025.01.20
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A+ 광통신 - 데시벨의 정의와 계산법2025.01.041. 데시벨의 정의 데시벨(decibel, dB)은 전기공학, 진동·음향공학 등에서 사용되는 무차원의 단위입니다. 데시벨은 국제단위계(SI)에 속하지 않지만 SI와 함께 사용됩니다. 데시벨은 어떤 기준 전력에 대한 전력비의 상용로그 값을 벨(bel)로 나타내고, 이를 다시 10분의 1배한 것입니다. 데시벨은 소리의 강도, 전력 및 전압/전류의 비교, 감쇠량 등을 나타내는 데 사용됩니다. 2. 데시벨 계산법 데시벨은 다음과 같은 계산법으로 구할 수 있습니다: 1) 두 신호의 전력 P1과 P0일 때, dB = 10log(P1/P0) 2...2025.01.04
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열기관의 등온압축, 등압팽창, 등온팽창, 등압압축 그래프 관찰 및 열효율 계산2025.01.041. 열기관 사이클 본 실험은 등온압축, 등압팽창, 등온팽창, 등압압축의 4가지 과정을 한 cycle로 하는 열기관의 그래프를 관찰하고, 실제 열효율과 이론 열효율을 계산하여 비교하는 것을 목적으로 합니다. 실험 결과, 이론 열효율 값의 평균은 14.146%, 실제 열효율의 평균은 0.1815%로 이론 열효율 값이 실제 열효율의 약 77.9배 큰 값이 도출되었습니다. 또한 이론 열효율과 실제 열효율 사이의 오차는 약 98.715%로 매우 큰 것으로 나타났습니다. 이는 실험 과정에서의 온도 변화와 실험 환경의 차이로 인한 오차 요인 ...2025.01.04
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반도체 다이오드 특성 보고서2025.05.101. p-n 접합 다이오드 p-n 접합 다이오드는 순방향 전압이 문턱전압을 넘어서면 전류가 흐르고, 역방향 전압이 항복전압을 넘어서면 역방향 전류가 급격히 흐르는 특성을 가지고 있다. 이번 실험에서는 p-n 접합 다이오드의 정류 작용을 관찰하였다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 연결에서 문턱전압이 약 0.6V이며, 역방향 연결에서 항복전압이 약 4.3V인 것을 확인하였다. 제너 다이오드는 역방향 연결에서 항복전압을 넘어서면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있다. 3. 다이오드의 정류 작용 일반 다이오드의 경우 순방...2025.05.10
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증폭기의 주파수 응답 특성 결과 보고서2025.05.041. 증폭기의 주파수 응답 특성 실험을 통해 1kHz, 100mV_{p-p}, V_{DD} = 5V 조건에서 증폭기의 주파수 응답 특성을 측정하였다. 입력 전압 100mV에 대해 출력 전압을 측정한 결과, 1kHz에서 209mV, 4V의 전압 이득 19.13V/V를 보였다. 주파수가 증가함에 따라 전압 이득이 감소하여 100kHz에서 2.4V, 11.48V/V, 1MHz에서 233mV, 1.2V/V를 나타냈다. 3dB 주파수는 81kHz로 측정되었다. 입력 전압 측정 시 오차가 발생하였고, 3dB 주파수 계산 값과 측정 값의 차이가...2025.05.04
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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전자회로실험 예비 1주차2025.05.161. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 만든다. P형 반도체는 acceptor doping으로, N형 반도체는 donor doping으로 만들어진다. P형에서는 정공(hole)이 majority carrier이고, N형에서는 전자(electron)가 majority carrier이다. 정공과 전자가 접합을 가로질러 확산하면서 diffusion current를 형성하고, 이에 따라 depletion region과 E-field가 생성된다. P형 영역은 anode, N형 영역은 cathode...2025.05.16
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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열역학 ch.3 완전가스 ppt2025.05.121. 기본 상태량 (P,V,T) 기체의 상태를 나타내는 기본적인 물리량인 압력(P), 부피(V), 온도(T)에 대해 설명합니다. 보일의 법칙, 샤를의 법칙, 보일-샤를의 법칙을 통해 이들 간의 관계를 설명하고 있습니다. 2. 완전가스의 상태 방정식 이상기체의 상태방정식인 pv=RT를 소개하고, 공기의 경우 이 방정식이 성립함을 설명합니다. 또한 기체상수 R의 계산 방법과 단위에 대해 설명합니다. 3. 완전가스에서의 Cp와 Cv의 관계식 열역학 제1법칙의 미분형을 이용하여 완전가스에서 정압비열(Cp)과 정적비열(Cv) 사이의 관계식을...2025.05.12
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