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중앙대학교 전자회로설계실습 7주차 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성2025.01.121. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이 보고서는 중앙대학교 전자회로설계실습 7주차에 진행된 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성에 대한 내용을 다루고 있습니다. 보고서에는 PSPICE 시뮬레이션을 통해 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 분석한 결과가 제시되어 있습니다. 구체적으로 입력 신호 주파수 변화에 따른 출력 전압의 최대값, 최소값, 전압 이득 등의 변화를 확인하였고, RE 및 CE 커패시터 값 변화에 따른 주파수 응답 특성의 변화도 분석하였습니다. ...2025.01.12
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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전자공학실험 6장 공통 이미터 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. BJT 소신호 등가회로 BJT 소신호 등가회로는 트랜지스터의 선형적인 증폭을 얻기 위해 소신호 AC 전압을 입력 전압으로 하는 등가 회로 모델이다. 컬렉터 전류 i_c는 g_m에 비례하며, 소신호 출력 전압 v_o의 크기는 r_o에 비례한다. 따라서 r_o는 컬렉터 전류에 반비례한다. 2. 공통 이미터 증폭기의 동작 원리 공통 이미터 증폭기에서 입력 v_I는 베이스-이미터 전압 v_BE이고, 출력 v_0는 컬렉터-이미터 전압 v_CE이다. 베이스-이미터 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 컬렉터에 흐르고, 이 전류가 출...2025.01.13
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전자공학실험 7장 이미터 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 이미터 팔로워 회로 이미터 팔로워는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 이미터 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. BJT 증폭기 구조 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 이미터 증폭기를 [실험 06]에서 실험하였고, 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중 이미터 팔로워에 대한 실험이다. 3. 이미터 팔로워 회로의 동작 특성 실험회로 1에서 주어진 바이어스 조건은 능동 영역으로 동작함을 알...2025.01.15
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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실험 25. CE 증폭기와 주파수 응답 예비결과보고서2025.01.021. 보데 선도(Bode plot) 보데 선도는 가로축에 각주파수의 대수 log10를 취하고, 세로축에 이득와 위상차를 취하여 전압이득과 주파수의 관계를 그린 것입니다. 이를 통해 전압 증폭기의 주파수 응답 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 저주파 증폭기 응답 저주파 영역에서는 DC 차단(AC 결합)과 바이패스 동작을 위해서 커패시터가 하위 차단(하위 3dB) 주파수에 영향을 미칩니다. 공통 이미터 증폭기 회로의 AC 등가회로를 통해 입력 커패시터, 바이패스 커패시터, 부하 커패시터 부분의 주파수 응답을 계산할 수 있습니다. 1. ...2025.01.02
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전자회로실험 A+ 10주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. Frequency Response of Common Emitter Amplifier CE amplifier에서 VOUT 은 VIN 과 비교했을 때 Phase difference가 180도이다. VCE의 크기는 IC가 커지면 작아지고, IC가 작아지면 증가한다. VCE = VCC – IC*RC의 공식을 통해 확인할 수 있다. Bandwidth는 연속 주파수 집합에서 상한 주파수와 하한 주파수 간의 차이이다. 일반적으로 Hz 단위로 측정되며 상황에 따라 passband bandwidth, baseband bandwidth을 가리킨...2025.05.10
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