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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 결과보고서2025.04.271. Common Emitter Amplifier Common Emitter Amplifier는 입력은 베이스를 통하고 출력은 컬렉터 단자에서 얻으며 이미터를 입출력 단자에 공통으로 이룬다. 설계목표를 달성하기 위해 그림의 회로를 설계하였다. 입력신호가 베이스 단자에 인가되고 컬렉터에서 출력신호가 나오도록 구성된 Common Emitter Amplifier 회로를 구성하여 주어진 조건을 이용하여 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하였고 이론값과 비슷하게 나왔다. 2. 주파수 특성 입력신호의 크기를 20 mVpp로 고정하고 주파...2025.04.27
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[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
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[예비보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 Push-Pull Amplifier 설계2025.05.101. Classic Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull 증폭기는 NPN, PNP 2개의 BJT로 구성되어 Dead zone이라는 구간이 발생한다. 입력전압 -Vbe 인 경우 두 BJT 모두 꺼진 상태로 동작하여 출력전압은 입력 전압에 상관없이 0이 되기 때문이다. 2. Feedback loop와 OP-amp를 이용한 Push-Pull Amplifier 특성 Push-Pull amplifier 출력단자를 OP-Amp (-)입력단자로 feedback시킨 것만으로 입출력 관계 전달특성곡선의 dead zone이 제거...2025.05.10
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전자회로실험: 정류 회로2025.01.091. 반파 정류회로 반파 정류회로는 다이오드 내부 저항과 부하 저항의 관계를 이용하여 교류 전압을 정류합니다. 입력 전압이 다이오드의 내부 전압 강하보다 크면 출력이 생성되고, 작으면 출력이 0이 됩니다. 이를 통해 양의 주기만 통과시켜 양의 파형을 얻을 수 있습니다. 반파 정류회로의 입출력 전압 관계식과 전압 전달 특성 곡선을 통해 이를 확인할 수 있습니다. 2. 브리지 정류회로 브리지 정류회로는 트랜스포머와 4개의 다이오드를 이용하여 양의 전압과 음의 전압을 모두 양의 전압으로 정류합니다. 입력 전압이 다이오드의 내부 전압 강하...2025.01.09
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Non-Linear OP Amp (파형발생기)-결과보고서2025.05.071. OP Amp의 비선형 동작 특성 OP Amp의 비선형 동작 특성을 이용하는 적분기, 파형 발생기 등의 동작 특성을 이해하고 OP Amp를 이용하여 구형파 및 삼각파를 만들어 보는 실험을 수행했습니다. 실험 결과 시뮬레이션과 실험 결과가 유사하였으나 가변저항의 정확한 조절이 어려워 일부 오차가 발생했습니다. 저항과 커패시터 값을 변화시켜 주파수와 출력 크기를 조절하는 실험을 진행하였고, 대체로 시뮬레이션 결과와 유사한 결과를 얻을 수 있었습니다. 2. 구형파 및 삼각파 발생기 회로 OP Amp를 이용하여 구형파 및 삼각파를 발생...2025.05.07
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[전자공학응용실험]3주차_1차실험_실험11 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기의 동작 원리와 특성을 설명하고 있습니다. 입력 전압에 따른 MOSFET의 동작 영역(차단, 포화, 트라이오드)과 각 영역에서의 드레인 전류 및 출력 전압 특성을 수식으로 표현하고 있습니다. 또한 MOSFET의 소신호 등가회로를 이용하여 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하는 방법을 설명하고 있습니다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET을 선형적인 증폭기로 동작시키기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호 전압을 동시에 인가하는 방법을 설명하고 있습니다. 이를 통해 MOSFET의 소신호 ...2025.01.29
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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