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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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직접전단시험 (토질시험)2025.05.081. 직접전단시험 직접전단시험은 흙 공시체에 여러 가지 크기의 수직응력을 주어 가면서 전단응력을 가해서 어느 정해진 면에서 전단파괴를 발생시켜, 그때의 수직응력과 전단응력에 관한 Coulomb의 법칙에 의해서 흙의 내부마찰각(φ)과 점착력(c)을 구하고, 필요에 따라 전단 중에 생기는 체적과 형태의 변화를 측정하여 흙의 변형에 관한 정수를 구한다. 이 시험은 배수조건을 철저히 조절하지 못하고, 전단 시 간극수압을 측정할 수 없으며, 파괴가 일어나기 전의 응력상태를 모르는 점 등 결함이 있으나, 시험방법과 조작이 간단하고 시료가 많이...2025.05.08
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직선운동실험 레포트2025.01.121. 자유낙하운동 물체가 자유낙하할 때 지구에 의한 중력(만유인력)이 알짜힘이므로 물체의 가속도는 중력가속도 g로 일정하다. 따라서 속도는 시간에 따라 일정하게 증가한다. 물체를 떨어뜨린 후 어떤 임의의 위치를 원점으로 잡았을 때, DELTAt=t_{2}-t_{1}=t_{3}-t_{2}를 이루는 t _{1} ,`t _{2} ,`t _{3}초 후의 이 물체의 위치 x _{1} ,`x _{2} ,`x _{3}는 각각 x _{1} = {1} over {2} gt _{1}^{2} ,``x _{2} = {1} over {2} gt _{2}^...2025.01.12
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[2024-1학기 국민대학교 자동차융합실험] LIDAR실험(A+)2025.01.291. LIDAR 센서 LIDAR 센서는 펄스 레이저를 이용하여 주변을 탐색하는 센서로, 360도로 초당 수십 바퀴를 돌면서 빛을 사방으로 쏘았다가 다시 돌아오는 정보를 토대로 이미지를 그려낸다. 이렇게 그려낸 이미지는 컴퓨터 프로그램을 통해 장애물 감지, 차선, 사람, 건물 등을 인지하고 주변환경을 파악하여 3D지도를 만드는데 사용된다. 2. RADAR 센서 RADAR 센서는 무선 전파로 주변 물체를 탐지하고 거리를 측정할 수 있는 센서이다. 레이더는 전자기파를 발생시켜 물체에 쏘고 다시 돌아오는 전자기파를 통해 거리, 방향 고도를...2025.01.29
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