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ALD 공정 기술 및 응용2025.11.161. ALD (Atomic Layer Deposition) 공정 개요 ALD는 다양한 기재 위에 금속 전구체와 반응 가스를 교차적으로 주입하여 자가 제한 표면 반응(Self-limiting surface reaction)에 의해 박막을 층별로 성장시키는 진공기상증착 방법입니다. 복잡한 3차원 구조 기재 위에서도 매우 균일한 두께의 박막을 얻을 수 있으며, 기체상 반응이 없고 순차적 단계로 진행됩니다. 장점으로는 입자와 핀홀이 없고 정밀한 두께 제어, 저온 공정, 우수한 박막 품질을 제공합니다. 2. ALD의 장단점 및 특성 ALD의...2025.11.16
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반도체 공정 기술 및 메모리 소자 종합 분석2025.11.181. 반도체 전공정(FEP) 기술 반도체 공정의 전공정은 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리 등 다양한 소자 제조에 필수적이다. 웨이퍼 기판, 표면 준비, 박막 형성, 플라즈마 식각 등의 기술이 포함되며, 무어의 법칙에 따른 소자 축소로 인해 새로운 재료와 공정 기술의 도입이 필요하다. 특히 고-k 유전체와 금속 게이트 도입, SOI 웨이퍼 활용, 응력 제어 등이 주요 기술 과제이다. 2. 플래시 메모리 기술 플래시 메모리는 비휘발성 메모리로 NAND형과 NOR형으로 구분된다. NAND형은 직렬 연결으로 고집적도와 빠른 쓰기/지우...2025.11.18
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PN 접합 제조 공정 기술 요약2025.11.181. 열산화(Thermal Oxidation) 열산화는 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 공정으로, 마스킹, 소자 격리, 게이트 산화막 형성, 표면 패시베이션 등의 목적으로 사용됩니다. 습식 산화는 두꺼운 산화층 형성에 사용되고, 건식 산화는 높은 밀도의 산화층 형성에 사용됩니다. 2. 확산(Diffusion) 확산은 실리콘에 불순물을 도입하는 방법으로, 도펀트 원자가 열 공정을 통해 실리콘으로 이동합니다. 치환 확산과 간질 확산 두 가지 메커니즘이 있으며, 이 기술을 통해 PN 접합을 형성할 수 있습니다. 3. 이온 주입(Ion I...2025.11.18
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EUV 리소그래피 기술과 반도체 공정2025.12.111. EUV 리소그래피의 필요성 CMOS 스케일링의 물리적 한계를 극복하기 위해 EUV 리소그래피가 필요하다. 무어의 법칙을 따르기 위해 더 작은 패턴 형성이 요구되며, 기존 ArF 엑시머 레이저(193nm)로는 65nm 노드 이후 스케일링이 어려워진다. 13.5nm 파장의 EUV는 기존 광원 대비 10~100배 작은 특징을 해상할 수 있어 20nm 이하의 미세 공정을 가능하게 한다. 이는 모바일 기기의 고성능화와 소형화를 동시에 달성하기 위한 핵심 기술이다. 2. EUV 리소그래피의 광원 기술 EUV 광원 생성 방식은 레이저 플라...2025.12.11
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석유화학플랜트의 구조와 공정기술2025.12.091. 석유화학 플랜트의 정의 및 특성 석유화학 플랜트는 화학 공장을 의미하며, 석유와 화학 공업은 장치 산업으로 생산활동의 주 수단이 장치이다. 고액의 자본이 필요한 자본집약적 산업이며, 통일된 시스템으로 전체적으로 운전된다. 플랜트는 공정, 기계, 배관, 전기, 제어(DCS), HVAC, CAS(토목, 건축, 철골) 등으로 구성되어 있다. 2. GTL(Gas-to-Liquid) 공정 GTL 공정은 천연가스를 액체석유로 변환하는 기술로, 중동 카타르 지역의 대규모 가스전에서 저가의 천연가스를 활용한다. 공정은 천연가스에 산소를 투입...2025.12.09
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전기투석 공정의 원리, 기술 및 응용2025.12.211. 전기투석(Electrodialysis; ED) 원리 및 공정 전기투석은 이온교환막과 전기투석조의 양단에서 공급되는 직류전원으로 형성되는 전기장을 구동력으로 하여 이온성 물질을 분리하는 막분리 공정이다. 양이온교환막은 양이온을 선택적으로 투과시키며, 음이온교환막은 음이온을 선택적으로 투과시킨다. 탈염전기투석과 물분해전기투석으로 구분되며, 전기투석조는 희석실과 농축실로 구성되어 있다. 전기장 하에서 양이온은 음극으로, 음이온은 양극으로 이동하여 탈염 공정을 수행한다. 2. 전기투석 공정의 막오염 현상 및 제어기술 전기투석 공정에서...2025.12.21
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나노공학 반도체 기업 PSK Inc. 조사 발표2025.12.211. PSK Inc. 기업 개요 PSK는 1990년 6월 11일 설립된 반도체 관련 중소기업으로, 자본금 98억 원, 직원 190명, 매출액 1,289억 원을 기록했습니다. 핵심 제품인 Ashing System을 기반으로 추가 제품 개발과 고객 확보를 위해 철저한 품질관리와 지속적인 연구개발을 진행하고 있습니다. 2. Ashing 공정 기술 Ashing은 건식 식각, 습식 식각, 이온주입 등에 의해 굳어진 감광액을 건식 또는 습식으로 제거하는 공정입니다. PSK의 Ashing 제품들은 웨이퍼 처리 속도를 시간당 360장까지 향상시키...2025.12.21
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반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
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포토리소그래피와 식각 공정을 이용한 미세패턴 제작2025.11.171. 포토리소그래피(Photolithography) 빛을 이용한 기판 인쇄를 통해 회로 패턴을 제조하는 방법입니다. 감광성 화학물질인 PR(Photo Resist)을 웨이퍼에 코팅한 후 마스크를 통해 빛을 조사하여 원하는 패턴을 새깁니다. Vapor prime, PR coating, soft bake, exposure, develop, hard bake의 단계를 거쳐 진행되며, positive PR과 negative PR의 두 가지 종류가 있습니다. Positive PR은 빛을 받은 부분이 제거되고, negative PR은 빛을 받...2025.11.17
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TSMC 기업 분석: 성공요인과 경영전략2025.12.121. TSMC 파운드리 비즈니스 모델 TSMC는 1987년 대만에서 설립된 세계 최대의 반도체 파운드리 기업으로, 고객이 설계하고 TSMC가 제조만 담당하는 혁신적인 파운드리 모델을 채택했습니다. 이 모델을 통해 애플, NVIDIA, AMD, 퀄컴 등 주요 IT 기업들과 강력한 파트너십을 구축했으며, 5nm, 3nm 등 최첨단 공정 기술을 제공하여 파운드리 시장의 절대적 선두주자로 자리잡았습니다. 2. 기술 혁신과 공정 리더십 TSMC의 핵심 성공요인은 지속적인 기술 혁신입니다. 세계 최초로 7nm, 5nm, 3nm 공정을 상용화했...2025.12.12
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