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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
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인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석2025.01.091. MOS Capacitor 동작 원리 MOS Capacitor의 동작 원리를 이해하기 위해 Gate Material, Oxide Material, Semiconductor material 등에 대한 특성을 기술하였습니다. Gate Material로는 TiN을 선택하였고, Oxide Material로는 HfO2와 SiO2를 사용하였으며, Semiconductor material로는 p-type Si을 사용하였습니다. 각 material의 특성과 선택 이유를 자세히 설명하였습니다. 2. High-k 물질 도입에 대한 배경 Moore...2025.01.09
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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서2025.01.211. MIS 및 MIM 커패시터 소자 이번 실험에서는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조와 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 커패시터 소자에 대해 이해하고, Evaporator와 Shadow mask를 활용하여 상부 전극을 증착하고 Probe station을 통해 전기적 특성을 평가하였습니다. MIS 구조에서는 p-Si 박막이, MIM 구조에서는 p++-Si 박막이 사용되었습니다. MIM 구조의 경우 절연체 역할을 하는 insulator로 인해 전하를 축적하고 유지하는 능력이 있...2025.01.21