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전자회로 텀프2025.04.201. 서론 전자회로 텀프 프로젝트는 전자회로 실험 및 설계 수업에서 배운 다양한 이론과 실습 내용을 종합적으로 적용하여 실제 작품을 제작하는 활동이다. 본 보고서에서는 세 개의 세부 주제인 '전자회로 실험', '전자 피아노', '오디오 믹서 회로 설계'를 통해 학습한 개념과 기술을 구현하고자 한다. 각 주제에서는 실험 준비와 과정, 관련 이론, 시뮬레이션과 실험 결과 분석 등을 상세히 설명할 것이다. 이를 통해 전자회로 설계에 대한 이해도를 높이고 실무 능력을 배양할 수 있을 것이다. 2. 전자회로 실험 2.1. 실험 부품 및 기...2025.04.20
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트랜지스터 MOSFET의 작동원리2025.04.251. 서론 1.1. CMOS 이미지 센서의 원리 CMOS 이미지 센서는 CMOS를 이용한 고체 촬상 소자이다. CMOS는 PMOS와 NMOS 트랜지스터를 가지고 구현하며, 이를 통해 저 전력을 실현할 수 있다. 따라서 CIS는 이러한 CMOS 기술을 이용한 화상 정보 감지기이다. CIS는 CMOS를 사용함으로써 수율이 매우 높고, 공정 개선이 용이하며 이미 다른 제품들에도 같이 사용되기 때문에 규모의 경제를 실현할 수 있다는 장점이 있다. 또한 CMOS의 특징 중 하나였던 전력 소모가 매우 작다는 점 또한 CIS의 장점이 된다. ...2025.04.25
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common emitter amplifier 주파수 특성 레포트써줘2025.05.021. 서론 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용되며, 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압을 측정하고, 부하 동작과 무부하 동작 조건에서 전압 이득(Av), 입력 임피던스(Zi), 출력 임피던스(Zo)의 측정값을 구할 것이다. 이를 통해 공통 이미터 증폭기의 특성을 이해할 수 있다. [] 2. 실험 목적 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압 특성 분석 공통 이...2025.05.02
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bjt 귀환2025.05.061. 서 론 1.1. BJT의 개념 및 특성 BJT(Bipolar Junction Transistor)는 전자부품 중 하나로, 두 개의 PN 접합(기저, 이미터) 사이에 제3의 PN 접합(콜렉터)을 갖는 3단자 능동소자이다. BJT는 입력 전류의 변화에 따라 출력 전압이나 전류가 크게 증폭되는 특성을 갖고 있어, 증폭기, 스위칭 회로 등 다양한 전자회로에 널리 사용된다. BJT는 NPN형과 PNP형 두 가지 종류가 있는데, NPN형 BJT에서는 다수 캐리어가 전자이고 PNP형 BJT에서는 다수 캐리어가 정공이다. BJT 내부의...2025.05.06
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트랜지스터의 작동원리2025.06.051. 트랜지스터의 작동원리 1.1. 다이오드의 작동원리와 종류 다이오드는 진공관(또는 방전관) 다이오드와 반도체 다이오드가 있다. 진공관 다이오드는 양극(陽極:anode)이 음극(陰極:cathode)에 대하여 매우 큰 음전압(陰電壓)을 갖게 되면 전압파괴 현상이 일어나서 진공용기 속에서 공간을 통하여 방전을 일으키거나 용기의 벽(壁)을 따라 방전하며, 음극으로부터 방출된 열전자(熱電子)에 의한 전자전류가 흐르는 특성을 가지고 있다. 반도체 다이오드는 게르마늄이나 실리콘[비소]과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 ...2025.06.05
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조선대 메카트로닉스설계 기말고사 족보 모음2025.06.101. 조선대학교 메카트로닉스설계 기말고사 족보 1.1. 하모닉 드라이버 하모닉 드라이버는 금속의 탄성역학을 응용한 것이다. 하모닉 드라이버는 wave generator, flexspline, Circular spline으로 구성되어 있다. 하모닉 드라이버는 로봇용 감속기로 개발되었으며, 매우 큰 감속비(1/30-1/320)를 얻을 수 있다. 예를 들어 톱니수가 80개면 1/80의 감속비를 얻을 수 있다. 또한 하모닉 드라이버는 백래시(lost motion)가 없는 특징이 있다. 하모닉 드라이버는 금속의 탄성역학을 응용한 것으로,...2025.06.10
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common base의 특성2025.05.261. Common Base 특성 1.1. 컬렉터 공통 증폭회로의 기본 구조 컬렉터 공통 증폭회로의 기본 구조는 트랜지스터의 emitter측에 저항이 연결되어 있고 collector단자는 전원에 직접 연결된 형태이다. 이를 common-collector amplifier 또는 emitter follower라 부르며, 출력은 emitter단자에서 나오게 된다. 트랜지스터의 active상태에서 출력 전압(Vout)과 베이스 전압(VBB)은 항상 트랜지스터의 베이스-이미터 전압강하(VBE)만큼의 차이가 발생하므로, 입력 전압(Vin)의 ...2025.05.26
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전압분배회로2025.05.271. 전압 분배 회로 1.1. 배경 이론 전압 분배 회로는 4개의 저항으로 구성된 바이어스 회로이다. 정전압원과 3개의 저항으로 이루어진 고정 바이어스 회로와 비교하여, 전압 분배 회로는 트랜지스터의 열 특성이 개선되어 더 안정적인 동작이 가능하다. 전압 분배 회로에서 트랜지스터의 베이스와 접지 사이에 추가로 한 개의 저항이 존재하기 때문에, 입력 전류를 저항값 조절을 통해 변화시킬 수 있다. 또한 적절한 회로 매개변수 선택으로 트랜지스터의 컬렉터 전류와 컬렉터-이미터 전압이 베타 값에 무관하게 유지되도록 할 수 있다. 이로 ...2025.05.27
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전압분배회로2025.05.271. 전압분배 회로의 이해 1.1. 전압분배 회로의 개념 전압분배 회로는 바이어스회로의 일종으로, 4개의 저항으로 구성된다. 이는 고정바이어스회로나 이미터 바이어스회로보다 열 특성이 좋아 안정적이어서 많이 사용된다. 전압분배회로는 입력 전류를 저항 조절을 통해 변경할 수 있고, 회로 매개변수 선택에 따라 컬렉터 전류와 컬렉터-이미터 전압이 베타 값에 독립적이도록 설계할 수 있다. 또한 입력 전류를 낮게 유지할 수 있어 가장 안정적인 회로가 된다. 전압분배회로는 옴의 법칙과 전압분배 법칙에 따라 동작하며, 정밀 해석 시에는 R1과 ...2025.05.27
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예비보고서2024.09.101. 반도체의 기본 개념 1.1. 반도체의 정의와 특성 반도체는 상온에서 전기 전도율이 구리 같은 도체(전도체)보다는 낮고 애자, 유리 같은 부도체보다는 높은 물질이다. 반도체는 가해진 전압이나 열, 빛의 파장 등에 따라 전도도가 변화하는 특성을 가지고 있다. 일반적으로는 규소 결정에 불순물을 첨가하여 만든다. 반도체는 주로 증폭 장치, 계산 장치 등을 구성하는 집적회로를 제작하는데 사용된다. 반도체는 매우 낮은 온도에서는 부도체처럼 동작하지만, 실온에서는 도체처럼 동작한다. 다만 반도체는 부도체와 도체와는 다른 특성을 가지고...2024.09.10
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