소개글

si wafer의 저항을 측정하는 방법으로
van der pauw법을 쓴것입니다.
A+를 받은것이니 참고하세여^^

목차

1.서론
2.실험방법
3.실험 결과
4.고찰 및 결론
5.참고 문헌

본문내용

1.서론
실험 목적
우리는 실리콘 웨이퍼의 표면 저항을 측정하는 방법 중의 하나인 Van der pauw을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 온도에 따른 표면 저항 값을 구하고, 증착법(evaporation)과 저항측정법인 Van der pauw을 이해한다. 고유반도체인 실리콘 웨이퍼의 온도에 따른 비저항의 변화를 관찰하고 변화의 거동을 파악한다.
기기와 원리
Van der Pauw
임의의 모양을 가진 sample의 주변에 네 개의 접촉부를 만들고 한 쌍의 접촉부에 전류를 흐르게 하고 다른 한 쌍의 접촉부로부터 전압을 측정할 경우 van der pauw는 다음의 관계를 증명한다.

Evaporation
증착의 정의
증착하고자 하는 물질을 수 나노에서 수백 나노 두께로 특정 기판상에 올리는 일련의 과정을 말한다.
증착법의 종류
물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)
화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)
분자 빔 결정법(Molecular Beam Epitaxy, MBE)
증착의 요구 조건
원하는 구조, 적은 이물질, 전기적·기계적 성질의 우수성을 가져야 한다.
웨이퍼 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 균일한 두께를 가져야 한다.
좋은 step coverage를 가져야 한다.
증착된 부분에 빈 공간(void)이 없어야 한다.
평평하게 된 박막이 필요하다.
물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)
정의
열을 가해서 액체 또는 고체로부터 증기를 발생시켜 발생된 증기를 기판에 증착 시키는
과정이다.
분류
증기를 발생시키기 위한 열의 생성 수단에 의해 분류된다.
열 증발 증착법 (thermal evaporation deposition)
유도열 증발 증착법 (inductive thermal evaporation deposition)
전자빔 증발 증착법 (electron-beam evaporation deposition)
특성
증발 과정 시, 증발체는 보통 높은 진공 상태에서 열이 가해지며 (P<10e-5 torr) 압력이 낮기 때
문에 대부분 가시거리 내에서 증착이 이루어지게 된다.
증착 속도는 타겟겟의 형상과 증기 방출 흐름 속도에 의해 결정된다.
증발체는 점 증발체 또는 미소 면적 증발체로 나뉜다.

참고 자료

없음