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단위공정
절연막 etching 장치

본문내용

Silicon dioxide layer의 형성은 집적 회로 제조에 있어서 가장 빈번하게 사용되는 과정중의 하나이다. Silicon dioxide는 전기적 절연체이고 보통 thermal oxidation에 의한 상황에서 만들어진다. SiO2층은 dopant의 확산동안 mask로 사용되거나, gate dielectric, junction passivation, insulating field oxide로써 사용된다. Dry oxidation은 약 1000℃에서 산소에 silicon을 노출시킴으로써 수행된다. 산소에 습기가 섞여 있다면, oxidation rate가 더 빠르다. 이런 process를 wet oxidation이라고 한다.Dry oxidation은 0.05㎛의 얇은 층에서 high quality를 제공하고, wet oxidation은 0.5㎛정도의 두꺼운 oxide 층을 제공한다. Oxidation은 silicon과 silicon dioxide의 표면에서 일어난다. 이 표면에서 반응이 일어나기 위해서, 산소는 SiO2층을 통해서 확산해야 한다. SiO2가 산소의 확산의 장벽이기 때문에 SiO2의 성장 속도는 시간에 따라서 감소한다. 초기의 processing 단계에서 500Ao이나 0.05㎛정도의 두께는 900℃, 산소 하에서 30분 정도면 충분하다.

참고 자료

없음