With the increasing demand for electronic products, the amount of multilayer ceramic capacitor (MLCC) waste has also increased. Recycling technology ..
This study was carried out to investigate the characterization of iron oxide nanotubes (INTs) by anodization method and applied adsorption isotherms ..
This study investigates the oxidation properties of Fe-14Cr ferritic oxide-dispersion-strengthened (ODS) steel at various high temperatures (900, 100..
Microfiltration (MF) and Ultrafiltration (UF) membrane processes capable of producing highly purified water have been extensively applied as a pretre..
Immobilization of anaerobic ammonium oxidizing bacteria has been studied to enhance the biomass retention of the slowly growing bacteria and the proc..
An optimum route to fabricate oxide dispersion strengthened ferritic superalloy with desired microstructure was investigated. Two methods of high ene..
Recently, the electron transport layer (ETL) has become one of the key components for high-performance perovskite solar cell (PSC). This study is mot..
산화공정 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성시키는 공정이다 ... 산화공정 - Oxidation Process- 1. 실험 목적 가. 실험 목표 산화공정의 진행 순서 및 기본원리를 이해하고 실험결과를 비교, 고찰해본다. ... 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막( SiO _{2})을
습식 산화공정산화공정은 웨이퍼 위에 산화막을 형성하는 과정으로 열 산화와 습식 산화가 있다 . ... * 산화공정 기기의 도면 HCI N2 열 산화공정의 성장 단계 모델 산화막 성장 메카니즘을 Deal-Grove Model 이라고 하는데 , 산화막이 증착되는 초기와 후기 상태를 ... 공정의 반응 가스 웨이퍼의 실리콘 산화 막은 여러가지 공정에서 내부 소자를 보호하게 된다 .
본 연구에서는 배가스 내 존재하는 오염물질인 NO의 처리효율을 증대시키기 위하여 NO 산화공정을 연구하였으며, 강력한 산화력의 건식산화제를 제조하는 방법으로 H2O2 촉매분해가 도입되었다 ... 제조된 건식산화제는 NO가 포함된 모사 배가스를 처리하기 위한 NO 산화공정에 적용되었으며, 다양한 모사 배가스의 유량(5, 10, 20 L/min)에서 약 100% 가까운 NO 전환율을 ... H2O2 분해공정 상에서 적용 가능한 K-Mn/Fe2O3 불균일계 촉매가 제조되었으며, 이들이 가지는 물리화학 적 특성이 H2O2 분해반응에 미치는 영향이 조사되었다.
산화공정과 산화 기구의 기본 원리와 산화 막 성장에 영향을 미치는 공정 변수들 에 대해 알아보도록 하자. 2.실험 방법 * cleaning 공정 ① H2SO4 와 H2O2 를 4: ... 산화막을 B.O.E를 이용하여 제거한다. ② AFM을 이용하여 산화막의 단차를 측정한다. 3.이론적 배경 -산화공정의 정의 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200 ... 산화공정 1.실험 목표 실리콘이 집적회로에 많이 사용되는 중요한 이유 중의 하나는 훌륭한 산화층 (oxide), SiO2를 형성할 수 있다는 것이다.
In this study, a micro gas sensor for NOx was fabricated using a microelectromechanical system (MEMS) technology and sol-gel process. The membrane an..
Oxidized polyethylene wax is obtained by oxidation of polyethylene wax and it is composed of various chemicals, e.g., fatty acid, alcohol, ketone and..
신소재 기초 실험 OXIDATION (산화공정) 1. ... 표와 그래프로 보아 산화공정 과정 중 시간을 늘릴수록 산화막의 두께가 두꺼워 짐을 알 수 있다. ... 결론 및 고찰 이번 실험은 웨이퍼 클리닝과 산화공정의 과정을 거쳐 시간에 따른 산화막의 두께를 측정하는 실험을 하였다.
To alloy high melting point elements such as boron, ruthenium, and iridium with copper, heat treatment was performed using metal oxides of B2O3, RuO2..