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"사이리스터(thyrister" 검색결과 1-7 / 7건

  • 파일확장자 [전력전자] 전력 전자 소자의 종류
    SIT (Static Induction Transistor : 정전 유도형 트랜지 스터)SIT는 대전력, 고주파소자로서 본질적으로 3극진공관을 반도체화한 것이다. 이것은 짧은 멀티채널을 가진 수직구조의 소자이다. 따라서 구연제한을 받지 않으며 고속, 대적류동작에 알맞다..
    리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.10.31
  • 한글파일 [전력전자 정리] 전력전자 정리
    사이리스터는 일반적으로 전력용 트랜지스터에 비해 고내압에서 우수한 특성을 나타낸다. (1) 사이리스터(thyrister) =SCR(Silicon Controlled Rectifier ... (정류 회로) Thyristor / 사이리스터 사이리스터(thyristor)란 오프(off)상태로부터 온(on)상태로, 또는 온상태로부터 오프상태로 스위칭할 수 있는 3개 또는 그 ... 이들의 장점을 갖고 있는 사이리스터는 가전제품, OA기기, 산업용기기등의 전력제어 분야에서 널리 사용되고 있으며, 이후 수 10A이하의 중·소전력 사이리스터만도 여러 가지가 있다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.08
  • 한글파일 전기동차특론레포트
    인버터(Inverter) - 사이리스터, GTO, MOSFET, IGBT 등의 반도체 전력용 스위칭 소자와 인덕터, 커패시터 등의 필터를 사용하여 직류전원을 가변주파수, 가변전압의 ... 가변전압 가변주파수)라고도 한다. ① 인버터(Inverter)의 구조 - Inverter의 출력 측에는 유도전동기 고정자의 U, V, W상 코일이 연결되어 있고 여기에 6개의 GTO Thyrister
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.03.09
  • 한글파일 CUBLOC2
    대부분의 전원장치에서는 실리콘 다이오드가 사용되며 제어 정류기 응용 부분에서는 사이리스터(thyrister)가 광범위하게 사용된다. ⑤ 컨버터 회로망 ·변환기라고도 한다. ... 이들 변환회로에는 사이리스터(thyristor) 등의 전력용 반도체를 사용하는 경우가 많다. ... 사이러트론 ·수은 정류기 등이 주로 사용되었으나, 직류송전과 같은 대용량 고전압회로를 제외한 일반 인버터는 대부분 사이리스터로 바뀌었다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.01.21 | 수정일 2019.11.21
  • 파워포인트파일 Power BJT, Power FET, Thyristor, IGBT 스위칭 소자에 대한 특성 분석
    사이리스터 , 역도통 사이리스터 , 트라이액 • 애노드 , 캐소드 , 게이트의 세 개의 단자로 구성 • 애노드전압이 캐소드에 대하여 전위가 높을 경우 ( 순방향 저지 , 오프상태 ... KOREA E.M.L [11] Thyristor -SCR( 역저지 3 단자 사이리스터 )- 실리콘 제어 정류소자 pnpn 의 4 층 반도체 소자 ⇒세 개의 pn 접합으로 구성 역저지
    리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.23
  • 한글파일 기초전자회로실험/남춘우/2001년/실험4. 반파 및 전파정류 예비보고서.
    대부분의 전원장치에서는 실리콘 다이오드가 사용되며 제어 정류기 응용 부분에서는 사이리스터(thyrister)가 광범위하게 사용된다. ... 사이리스터는 양극·음극 외에 제3전극을 가진 실리콘정류기이다. 최근 사이리스터를 정류소자에 이용한 사이리스터 정류기가 제어 정류기 응용 부분에서 널리 사용되고 있다.? ... 하며, 출력 전류를 제어하기 위해 다이오드 대신 브리지 정류기나 사이리스터를 쓰기도 한다.
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30
  • 한글파일 [전자통신 기초실험] 반파 정류 회로
    대부분의 전원장치에서는 실리콘 다이오드가 사용되며 제어 정류기 응용 부분에서는 사이리스터(thyrister)가 광범위하게 사용된다. ※ 정류회로 [整流回路, rectifier circuit
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.09
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