전자회로 설계 실습 예비보고서 설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 실험일시 : 작성자 : 담당교수 : 이름 학번 분반 실험날짜 설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 실험 목적 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT..
실험 목적• 공통 베이스 및 이미터 플로어(공통 컬렉터) 증폭기의 직류와 교류 전압을 측정한다.• 전압이득(A_V), 입력 임피던스(Z_i), 출력 임피던스(Z_o)를 측정한다.실험 장비01 계측기- 오실로스코프- DMM- 함수 발생기- 직류전원02 저항- 100Ω, ..
그 이유는 입력전압이 작은 경우에 얻은 측정값이 피스파이스값과 매우 큰 차이를 가지기 때문이다. ... 입력전압이 증가할수록 오실로스코프의 측정값이 안정되어 피스파이스 시뮬레이션 결과와 유사한 값을 얻을 수 있었다. ... 실험 결과와 시뮬레이션에 대한 비교 및 오차율 계산 -Class-A Output Stage 검증 ·DC Bias (피스파이스) node 전압 node 전압 node 전압 Q1의 전류
그리고 I _{E}값이 I _{C} 값 보다 약간 더 큰 값을 갖는 이론은 성립한다는 것을 피스파이스 를 통해서 알수 있다. ... 회로 실험 과 피스파이스 측정값에 약간의 오차가 있는데 그 이유는 하드웨어적 실험에서 사용했던 부품 과 소프트웨어적 실험 사용 부품이 달라서 오차값이 있게 된다. ... 피스파이스 활용 장면 PNP 실험 과정 5번 NPN 실험 과정 11번 pnp 트랜지스터 실험장면 npn 트랜지스터 실험장면 5.실험 결과 및 분석 표6-1 pnp npn 트랜지스터
참고로 이번실험은 피스파이스 를 활용하여 회로를 구성하고 전압 및 전류를 측정하는 실험을 병행하였다 실험에서 측정한 값과 피스파이스 를 통해 측정된 값의 차이가 있었으며 각각 오차값이 ... 그림5-2 피스파이스 활용 장면 결과 파형 및 측정값 그림 5-3 회로도 구성장면 제너 다이오드 특성곡선 실험장면 5.실험 결과 및 분석 표5-1 역방향 바이어스 VAB[V] I[mA
피스파이스, 이론의 경우 저항이 1kΩ 일때 차단주파수 9.722KHz ~ 26.169KHz이며 공진 주파수는 위의 저역 고역 통과 필터와 같이 15.849로 유사하다. ... 고역 필터의 경우 CH1의 첨두치가 1.10V이니 그에 따른 값 1.1*0.707을 가지기 위해서 0.777이라는 CH2에서 해당하는 값을 가져야 하는데 이론, 피스파이스의 경우 둘다
피스파이스 회로에 t ... 위 사진은 실험 회로를 피스파이스로 구성한 것이다. 여기서 알 수 있는 점은, 피스파이스에서 오른쪽에 보라색으로 적혀져 있는 전압이 각각 위에서부터 값이라는 것이다. ... 우리가 꾸몄던 회로를 먼저 피스파이스로 표현해 보았다. 여기서 R5가 전류계이다.
OR 게이트 delay 측정 피스파이스의 기능 중 cursor를 이용하여, 출력의 50% 인 2.5V 가 되는 시간의 차이를 측정하면 된다. ... AND 게이트 delay 측정 피스파이스의 기능 중, cursor를 이용하여, 출력의 50% 인 2.5V 가 되는 시간의 차이를 측정하면 된다.