단결정 Si기판위의 Co/Ti 이중층으로부터 형성된 Co 실리사이드의 에피텍셜 성장기구에 대하여 조사하였다. ... 그리고 Ti중간층은 반응의 초기단계에 Co-Ti-O 삼원계 화합물을 형성하는데, 이 화합물은 실리사이드화 과정중 반응 제어층으로 작용하여 에피텍셜 실리사이드 형성에 중요한 역할을 한다
본 연구에서는 분자선 에피택시 방법으로 비대칭 AIAs/GaAs(001)이중 장벽, 삼중장벽구조를 성장한 수 이를 이용하여 2단자 소자를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다. 에피층은 쌍결정 X-ray회절 분석과 단면투과 전자현미경을 이용하여 결정성 및 격자 정합성을 확..
층으로 성장했다. (100) Si 위에서 에피택셜 CoSi(sub)2 층을 통한 Co의 확산에 의해 제어되는 것으로 나타났다. ... 사이클로펜타디에닐 디카보닐 코발트 (Co(η(sup)5-C(sub)5H(sub)5) (CO2)의 반응성 화학 기상 증착법에 의해 600˚C 근처의기판온도에서 (100)Si 기판 위에 균일한 에피택셜 ... CoSi2 층이 후열처리를 거치지 않고 직접 성장되었다. (100) Si 기판 위에서 에피택셜 CoSi(sub)2 층의 성장 속도론을 575˚C에서 650˚C의 온도 구간에서 조사하였다
또한 HRTEM상의 해석과 원자 모델링을 통하여 Si에서 에피택셜 C49-TiSi2상의 형성기구와 C49상의 (020) 면에 존재하는 적층결함을 고찰하였다. ... N2처리에 의해 Si (001) 기판에 형성된 C49상의 구조를 갖는 에피택셜 TiSi2상의 열적 거동과 결정학적 특성을 X선 회절법 (XRD)과 고분해능 투과전자현미경법 (HRTEM ... 에피택결 C49-TiSi2상은 1000˚C 정도의 고온에서도 안정상인 C54상으로 상변태하지 않고 형태적으로도 고온 특성이 우수하다는 것이 밝혀졌다.
합성법 에피텍셜 합성법은 실리콘 카바이드(SiC)와 같이 탄소가 결정에 흡착되거나 포함되어 있는 재료를 약 1,500의 고온 분위기에서 열처리하여 그래핀을 합성하는 방법이다. ... -기계적 박리법, 화학증착법, 에피텍셜 합성법, 화학적 박리법 1) 기계적 박리법 기계적 박리법은 다층으로 구성된 흑연 결정에서 기계적인 힘으로 한 층을 벗겨내어 그래핀을 만드는 방법이다 ... 기판 위에 증착하고, 1,000의 고온에서 메탄, 수소 등의 혼합가스 분위기에서 탄소가 촉매 층과 반응하여 적절한 양의 탄소가 촉매 층에 녹아 들어 가거나 흡착되도록 한다. 3) 에피텍셜
연구계획서 저는 고려대학교 대학원 물리학과 랩에 진학을 하고 나서 YBCO 코팅 도체용 이축 질감의 Ni-W 기판에서 에피택셜 CeO2 버퍼층 성장을 위한 MOD 접근 방식 연구, ... 저는 또한 CMOS 이미지 센서와 결합된 협대역 필터 어레이를 이용한 온칩 라만 분광기 연구, LaMnO3 에피택셜 박막에 대한 산소 환원 분위기 어닐링의 효과 연구, La-doped ... 저는 또한 절충주의 스핀 체인의 조합 솔루션 연구, CaRuO3 박막의 에피택셜 변형 의존 전기촉매 활성 연구, 두꺼운 다층 그래핀의 상호작용에 의한 절연 상태 연구, 중심대칭이 아닌
제가 물리학에서 특별히 관심이 있는 쪽은 기판 산소 스폰지 효과, 에피택셜 박막 성장을 위한 새로운 매개변수 연구, 결합된 극성 왜곡에 의한 1D 사면체 사슬 네트워크의 실온 강유전체 ... 물성 분석, 투명 전도성 산화물로서 인듐이 없는 비정질 Ca-Al-O 박막 물성 분석, 2D 적층 재료/복합 산화물 이종 구조의 상승 작용 거동 연구, 그래핀을 이용한 SrTiO3 에피택셜
MOD 접근 방식 연구, CaRuO3 박막 파일의 에피택셜 변형 의존 전기촉매 활성 연구, 강자성체에서 준안정 자기 도메인과 초전도 소용돌이 사이의 상호 작용? ... 석사 박사 진학시 희망 연구분야 및 계획 저는 서울대학교 대학원 물리학과 랩에 진학하고 나서 YBCO 코팅 도체용 이축 질감의 Ni-W 기판에서 에피택셜 CeO2 버퍼층 성장을 위한
Bi2Te3 측면 이종 구조의 분자 빔 에피택셜 성장 연구, SrAs3에서 단일 노드 링의 광학적 전이: 방사형 및 축 방향으로 분해된 특성화 연구, Semiflexible 폴리머 ... 저는 또한 에피택셜로 성장한 반 데르 발스 이종 구조에서 구현된 토폴로지 절연체 표면에 형성된 Landau 레벨 사이의 공진 터널링 연구, 7Li 원자의 bosonic Mott Insulator의
질화규소 마스킹막을 패터닝함으로써, 에피택셜 층은 마스킹막이 제거되고 실리콘이 노출되는 위치에서 성장될 수 있다. ... 실리콘-에피택셜 성장 공정에서 가장 많이 사용되는 소스 가스는 실란(SiH4), 디클로라이드 실란(DCS, SiH2Cl2), 트리클로라이드 실란(TCS, SiHCl3)이다. ... 에피택셜 실리콘은 실리콘 소스 가스를 반응기로 주입한 아신(AsH3), 포스핀(PH3), 디보란(B2H6)과 같은 도펀트 가스를 유동시킴으로써 성장함에 따라 도핑될 수 있다.
AlN의 여기성 및 깊은 수준 방출 연구, 난류 스피너 보스-아인슈타인 응축액의 무작위 스핀 텍스처 연구, 2D 재료 기반 층 전사 공정을 통해 단일 웨이퍼에서 에피택셜 멤브레인의 ... 양자 임계점 근처에서 최적화된 초전도성 연구, 전기촉매적 전체 물 분해를 위한 Cu2O/환원 그래핀 산화물 나노복합체 연구, 분자선 에피택시로 성장한 N- 및 Al-극성 동종에피택셜
연구계획서 저는 서울시립대학교 물리학과 연구실에 들어가서 단일벽 탄소나노튜브 전계방출체를 갖춘 투명 음극판을 통한 빛 방사 연구, 초박형 ZnTe 필름의 에피택셜 성장 및 광학 밴드 ... 갭 변화 연구, 빠르고 고효율 전기 변색 응용 분야를 위해 산화물 이종 구조의 토포택틱 전이를 활용하는 연구, 대규모 필라멘트 주위의 헤일로 궤도와 질량 진화 추적 연구, 게이트
