Common Source Amplfier 설계 예비보고서

소개글

중앙대학교 전자전기공학부 실험 예비보고서

목차

1. 목적
2. 이론
□ 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 ( MOSFET )
□ Mosfet 구조
□ 회로 기호
□ 확장형 N채널 Mosfet에서 동작 종류
3. 설계 실습 계획서
□ Data sheet 첨부

본문내용

1. 목적 : NMOS의 특성을 이해하고 Common Source Amplfier를 설계, 구현, 측정, 평가한다.

2. 이론
□ 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 ( MOSFET )
⇨ 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 ( metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET 이라고도 한다. Mosfet은 N형 반도체나 P형 반도체 재료의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 NMOSFET이나 PMosfet 이라고 부른다.
금속 산화막이란 이름이 붙은 것은 초기에 게이트로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 폴리실리콘 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터 ( insulated-gate field-effect transistor, IGFET)는 Mosfet과 거의 동의어이며 산화되지 않은 게이트 저항층을 갖는 전계효과 트랜지스터를 가르킨다. 폴리실리콘 게이트를 갖는 소자를 가르킬때 IGFET의 사용을 선호하지만, 아직도 대부분은 Mosfet이라고 부른다.

참고 자료

없음